[参考译文] TPS51200：REFOUT 引脚上的总电容

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495949/tps51200-total-capacitance-on-refout-pin

工具/软件：

尊敬的 Sis 和 Madams：

我们使用 TPS51200作为 DDR 的电源。

在符合数据表中"将 REFOUT 引脚上的总电容保持在0.47 μF 以下"限制的设计中、已经确认存在过冲超过 DDR3/4规格的情况。

许多 E2E 设计支持文章中都报告了此问题：

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/952470/tps51200-questions-about-overshoot

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1030554/tps51200-overshoot-observed-in-vo-and-refout

还有其他几个类似的报告。

TI 工程师的所有响应(包括上述响应)都建议使用远大于0.47μF (在某些情况下为100μF)的电容来抑制过冲、这与数据表中的说明相矛盾。

关于这个问题、请你告诉我以下几点：

1.您能告诉我们在数据表中添加"将 REFOUT 引脚的总电容保持在0.47 μF 以下"的背景和优点吗？

为什么在2016年将上述句子添加到数据表中？

2.由 TI 工程师在 E2E 推荐的使用大容量(例如100μF)电容器的设计不符合数据表规格、但这是否为官方解决方案？

3.如果设计符合数据表中规定的0.47uF 电容器容量并且只有 DDR 负载(可以通过添加阻性负载来抑制过冲、但会产生浪费的功耗)、REFOUT 输出端的过冲几乎是不可避免的、就像 E2E 情况一样。

关于这一点、如果 TI 对 DDR 的影响有任何意见或材料(例如、影响不是问题)、请您向我们提供吗？

此致、

Masashi