[参考译文] LM5146：我可以&&#39；t 实现高效率。

Taras,

发送完整的快速入门计算器文件(输入正确的 MOSFET 参数)以及原理图和布局。 我注意到、SW 节点电压上有大量振铃。 是否可以使用80V 而不是100V FET 来获得更高的效率？ 或者在高侧使用较高的 Rdson、较低电容的器件来降低开关损耗(在低占空比下)。

如果 Fsw = 230kHz、您可以将环路交叉频率设置为30kHz (如图所示、该频率非常慢)。 另外、如果满负载为10A、为什么电流限制设置为50A？ 15A 应该没问题。

一种选择是在 LM5146 EVM 上尝试 BOM、这是一个已知良好的布局。

此致、

Tim

嗨、Taras、

是否仍将 CRSM038N10N4用于低侧 FET？ 这具有不必要的10A 负载低 Rdson 以及极高电容和 Qrr。 高电平 Qrr 120nC 的值有助于有噪声的波形和低效率。 考虑使用为 LM5146 EVM 或类似 FET 指定的 FET 之一。 根据需要更新快速入门中的 FET 参数、以便了解效率。

50A 对于电流限制而言过高-电感器将饱和。 另外、只需将交叉点设置为 fsw 的10%、这始终是一个很好的起点。

PS：作为这里的替代方案、您可以考虑使用 LM7080V、8A 转换器(或者、如果绝对需要10A、则使用两个并联的 LM70860 80V、6A 转换器)。 这些是具有集成 FET 的转换器、因此比具有外部 FET 的控制器更易于实现。

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Tim

按照快速入门计算器了解补偿值–只需确保准确表征 Cout 及其 ESR (即降低电压的陶瓷电容值)。