工具/软件:
嗨、TI 团队、
我计划使用 LM2100R026在其中一个应用中实现基于恒流的降压转换器。 当我查看数据表时、数据显示在内部处理死区时间小于10ns。 我的问题是、这个死区时间是否足以满足我的应用(避免 HFET 和 LFET 跨导)、因为我没有提供任何处理死区时间的外部配置。 它是否具有单独处理死区时间的足够规定。
如果提供的死区时间或死区时间处理不够、我如何确保为半桥提供足够的死区时间。 在这种情况下、我是否应该提供任何外部死区时间配置(使用无源器件或 IC)。 我需要更加明确地说明这一点、以免在上电后导致电路板短路。
等待您的回复。