[参考译文] BQ40Z50-R2：关闭放电 MOS 会导致无法充电

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1498411/bq40z50-r2-turning-off-discharge-mos-leads-to-inability-to-charge

器件型号：BQ40Z50-R2

工具/软件：

您好、我找到了不能收费的原因。过流后、放电 MOS 关断、充电电压可以通过放电 MOS 的二极管进入。但是、在通过二极管后、会产生0.2V 的压降。因为我的电池组为2S1P、完全充电电压为8.8V、串联的总电压为8.65V、原始充电电压8.8V 变为8.6V、电池组的总电压更高、导致无法充电。我尝试放电以降低电池包的总电压、并能够通过充电清除过流状态、从而开启放电 MOS。此外、我还测试了如何手动关闭充电 MOS、开启放电 MOS 以及使用负载进行放电。开启放电 MOS 将自动开启充电 MOS。这是否与某个参数配置相关？充电期间是否可以直接打开放电 MOS？

e2e.ti.com/.../2474.test_5F00_ocd.zip

7 个月前

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2484615 points

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您好 Ian、

您的问题已收到、将立即得到解答。

谢谢您、
Alan

0 admin 7 个月前

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尊敬的 Ian：

如果充电电流大于 CHG 电流阈值、DSG FET 将导通、以实现旁路保护。即使触发了保护以关断 DSG FET、也会发生这种情况、如果电量监测计识别到它处于 CHARGE 模式、则会允许 DSG FET 变为活动状态。放电时也会发生这种情况、如果观察到小于 Dsg Current Threshold 的电流、则 CHG FET 也将变为活动状态。

此致、

Anthony

0 admin 7 个月前

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您好、我之前发送的附件包括我的。 gg.csv 文件以及触发 OCD 保护后我要充电的日志数据。从配置文件中可以看到 CHG 电流阈值为50mA。根据您的回复、只要充电电流大于50、DSG FET 就会导通。但是、我目前无法充电、因为 DSG FET 已关断、并且我的充电电压已通过 DSG FET 的二极管下降、导致充电电流为0、这无法满足进入充电模式的条件。我的电路原理图如下：