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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1498926/lm5146-q1-buck-convertor-schematic-review
工具/软件：
我正在根据 WEBENCH 设计报告使用 LM5146QRGYRQ1开关芯片设计48V 12V 降压转换器。 这里有两个例子、分别是 MOSFET 数量2、我想确保这些例子正确连接。
谢谢您、
里德·克拉克
e2e.ti.com/.../48V_5F00_12V_5F00_sch.SchDoc
尊敬的 Reed：
请发送原理图 PDF 和完整的快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC (快速入门有助于了解设计规格、检查元件选型、功率损耗等)
此致、
Tim
下面我随附了 pdf 格式的原理图以及我后续的基准文件。 是否可以向我发送 EVM 文件？ 我在使用快速入门计算器时遇到了问题、它说我的 Cin 和 Cout 值与输入或输出的电压纹波不匹配、但我得知电压纹波为1%、我安装了快速入门计算器并尽力而为。
感谢您的持续帮助、
Reed
e2e.ti.com/.../48V_5F00_12V_5F00_with_5F00_EMI_5F00_filter_5F00_WBDesign12.pdfe2e.ti.com/.../4452.LM5145_5F00_quickstart_5F00_calculator_5F00_A5.xlsme2e.ti.com/.../48V_5F00_12Vsch.pdf
EVM 布局文件位于 LM5145和 LM5146产品文件夹中。
根据 WEBENCH 的建议、此处无需100V 高侧 FET、因为 Vin-max = 55V。 80V 的 Vds 额定值应该很好、尤其是因为它可以提供更高的效率。 让我们看看 LM5145 EVM 中使用的80V FET。
进一步评论：
Howdy Tim
感谢您的持续帮助。 我在 LM5146 EVM 中交换了6.8mH 电感器的降压电感。 我将 LM5145 EVM 中的80V 高侧 FET 换成了高侧 FET。 我将3个4.7uF 电容器与3个22uF 电容器交换了、这是正确的实现吗？
这些看起来是很好的更新。 如果需要、发送更新后的原理图和快速入门计算器进行审核。
Cin 的值仍然太小、在快速入门计算器中它使用5个电容器、但在 WEBENCH 中它仅指定3个。 下面是电流原理图、并更新了快速入门计算器。
e2e.ti.com/.../1856.LM5145_5F00_quickstart_5F00_calculator_5F00_A5.xlsme2e.ti.com/.../48V_5F00_12V_5F00_new_5F00_cout_5F00_newFets.pdf
我怀疑 TDK 电感器就足够了。 DCR 过高、在22A 时会产生较高的功率损耗、尤其是因为就温升而言、其额定电流仅为10A。 看看 Cyntec VCUD128T。
FET 应该是非对称的-考虑到25%的占空比、高侧 FET 的 Rdos 更高(电容更低以实现更好的开关损耗)、然后低侧 FET 的 Rdson 更低、因为它在75%时导通。
如果满载为22A、则电流限值应设置为>27A 以获得裕度。
输入电容器应为4.7uF/100V/1210。
在给定高 Iout 的情况下、还应添加更多的 Cout、并确保降低电压值(12Vout 时的22uF/25V 电容器实际上~8uF)。 快速入门中的66uF 不正确、会导致补偿值不正确。
快速入门文件中显示的功率损耗非常大、因此选择元件以在满载条件下实现2-3W 的功率损耗(每个)至关重要、否则温度上升会过高。
