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器件型号：TPSM8D6C24 主题中讨论的其他器件：TPS546D24A、
工具/软件：
您好的团队、
我更改了评估板上的输入电压并测量了 SW 端子的峰值电压。
它几乎与高达14V 的输入电压成正比上升、但在15V 时、峰值消失。
为什么会这样？
工具/软件：
您好的团队、
我更改了评估板上的输入电压并测量了 SW 端子的峰值电压。
它几乎与高达14V 的输入电压成正比上升、但在15V 时、峰值消失。
为什么会这样？
您好 Kobaya、
这是基于 PVIN 电压对上拉驱动器强度的更改、能够在12V 输入下提供强大的驱动强度以实现高效率、同时保护 MOSFET 在 VIN 升高时免受过压影响。
阈值设置在14.75V 左右。 这使我们能够根据保护 MOSEFT 免受14.75V 振铃的影响来优化栅极驱动上拉强度、但会削弱驱动器以获得更高 VIN、从而避免 MOSFET 损坏、即使 VIN 上升到18甚至19V 也是如此。 这种 动态栅极驱动强度有助于提高效率和 PVin。
谢谢你
Savith
您好 Savith、
我重新测量了 IC 端子的峰值。
在13.2V 时、它不会超过额定值、但在驱动变弱之前、它确实会超过电压下的额定值。
・只要在13.2V 电压下使用、是否会损坏？
・请告诉我您对 SW 端子超过额定值的看法、即使它处于产品的输入电压范围内。
嗨、Hirotsugi
内部保护二极管是 MOSEFT 硅结构不可或缺的雪崩二极管。 它们被绘制在 MOSFET 的方框图中
它是一种专门为 MOSFET 几何形状设计的独立漏源雪崩二极管、可使雪崩电流远离栅极和体、并与体二极管电气并联
谢谢你
Savith
