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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1501070/ucc27524a-reason-for-esd-change-and-electrical-characteristics
工具/软件：
您好的团队、
・请告诉我为什么修订版 C 中的 ESD HBM 从4000V 更改为2000V
・D 和 DGN 之间的电气特性为何不同？ 两种封装的芯片是相同的、但这是否是由于测试场地的差异所致？
嗨、Hirotsugu、
感谢您联系 TI 提出有关 UCC27524A 的问题。
数据表的修订版本是由于针对器件发布的 PCN。
PCN 要求器件再次进行质量测试、因此需要重新表征某些规格。 由于这种重新表征、ESD 值已更新、但可确保其符合 JEDEC 指南。
PCN 的一部分是新的测试基地。 请查看 PCN 文档、了解包含的 OPN 以及对测试站点进行的更改。
谢谢您、
William Moore
您好、Wiiliam、
等级是因为 PCN 中 ESD 结构发生变化而下降、还是 ESD 结构保持不变、但等级因重新评估而下降？
根据 PCN 的定义、PCN 中包含了芯片变更、因此 ESD 结构确实发生了变化。 裸片和测试场地的变更也导致了重新评估。
您好 William、
据我所知、由于芯片变化、ESD 等级已降低、但仍符合 JEDEC 指南。
谢谢、
