请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
部件号：CSD83325L 工具/软件：
您好：
我在1节电池应用中使用此 MOSFET。
当电压低于4.2V 或3.3V (接近1s 锂电压范围)时、您是否会在源极-源极漏电流和栅源极-源极漏电流方面获得任何"非官方"数据。
其次、当 VGS <0时、您是否有任何有关源极-栅极泄漏的数据？ 例如、VS1=~3V、VG = 0V。
工具/软件：
您好：
我在1节电池应用中使用此 MOSFET。
当电压低于4.2V 或3.3V (接近1s 锂电压范围)时、您是否会在源极-源极漏电流和栅源极-源极漏电流方面获得任何"非官方"数据。
其次、当 VGS <0时、您是否有任何有关源极-栅极泄漏的数据？ 例如、VS1=~3V、VG = 0V。
尊敬的 Dimitri：
我找到了晶圆探针数据、并生成了 ISSS 和 IGSS 的归一化图、如下所示。 ISSS 在 Vds = 9.6V 时标准化、IGSS 在 Vgs = 10V 时标准化。 要使用这些图、请选择所需电压下的标准化值、并将其乘以数据表中的最大漏电流规格、以估算目标电压下的最大漏电流。 TI 未在数据表中发布漏电流的典型值或平均值、仅限最大值 我可以告诉您、典型值远低于最大值 ISSS ~ 0.1μA 和 IGSS ~ 2.7μA 的典型值。 抱歉、我无法分享实际的泄漏图。 希望这将足以提供您所处条件下的泄漏估算信息。 此外、请记住、漏电流具有正温度系数。 如果您有任何问题、请告诉我。
此致、
John
