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[参考译文] LP8556:LP8556SQ-E08/NOPB 原理图

Guru**** 2382630 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1503455/lp8556-lp8556sq-e08-nopb-schematics

器件型号:LP8556

工具/软件:

你好、团队

我们希望使用 LP8556SQ-E08/NOPB 进行纯硬件测试、无软件参与。
1. LP8556SQ-E08/NOPB 在没有 I2C 主器件的情况下"仅 PWM"、我们能否以100%占空比直接将 PWM 引脚拉至高电平(VDD 电源域)?
可以按照表5更改 fsw、ISET 是否可以遵循类似的表?
我们的 LED 总电流为20mA、有任何建议的 ISET 电阻值?
VBOOST 电压会自动检测并设置为13.2V?
4.如下面的屏幕截图所示,有什么需要更改?

BR
Ethan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ethan:

    可以。是的、PWM 输入可以配置为100%占空比。  

    2.有关每个输出设置的 LED 电流、可在 ISET_EN=0时参阅表13和在 ISET_EN=1时参阅表15。

    3.由于满量程 ILED 为20mA、因此您可以在 ISET 与 GND 之间放置一个可选的24k RISET。

     初始升压电压通过 VBOOST 字段配置。 该字段还设置最小升压电压。 VBOOST_MAX 字段设置最大升压电压。 是的、您还可以使用增强自适应控制功能、根据需要进行 Vboost 自适应更改。 有关更多详细信息、请参阅 DS 8.3.1.3输出控制。

    5.  

    1) EN/VDDIO 引脚电压建议为1.62V-3.6V。 在原理图中、当 Vin=4.2V 时、EN/VDDIO 引脚电压将为3.8V、超出了建议范围。

    2) PWM 信号是数字逻辑引脚、建议其高电压电平在 VDDIO 内。 请勿将 PWM 引脚直接连接到 VIN。 建议使用外部信号而不是 VIN 来馈送到 PWM 引脚。

    此致、

    Hongjia

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    嗨、 Hongjia

    感谢您的快速回复、我将原理图修改如下。
    1. EN/VDDIO 将电源域升压更改为1.8V。
    2. ISET 更改为24K 下拉电阻。
    3.为了减少布局面积,
      电感器更改为4.7uH、0.41A (LSB1608KT4R7M)
      肖特基二极管更改为30V、100mA (RB521CM-30)
      将输出电容器4.7uF 更改为0402封装  

     

    BR
    Ethan

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    嗨、 Hongjia

    由于 SOC 侧没有 PWM 信号、我们是否可以直接将10K 上拉至1.8V?

    BR
    Ethan  

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    尊敬的 Ethan:

    只使用了6个 LED 通道中的1个、对吧? 电感器的饱和电流必须高于 IL_PEAK。 如果总 LED 负载为13.2V (20mA)、则可以使用额定电流为0.41A 的4.7uH 电感器。  

    对于 PWM 信号、如果您需要100%占空比、我建议将其上拉至 VDDIO/EN、因为其电压电平需要在数字电源 VDDIO 内。

    此致、

    Hongjia