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尊敬的团队：
S1-S2之间可以处理的器件的绝对最大额定电压是多少？
查找随附的包含 TPSI2140的电阻网络电路快照、通过施加3kV、我们观察到了漏电流13mA。
这是由于内部 MOSFET 的漏电流造成的？
请告诉我们、对于3kV HiPot 信号、我们的基准电路中 S1-S2之间的电压将是多少。 因为数据表中未提供绝对最大值数据。 
此致、
Parth Bhavsar
您好、Parth、
感谢您联系我们的 E2E 团队。 我假设您正在进行 HiPot /耐受电压测试、在其中、从 DC+到 GND_EARTH 之间施加3kV 60秒。 需要调整 R 的大小以将雪崩电流(IAVA)限制在1 mA。 听起来电路中的 TPSI2140可能已因过热而损坏。 MΩ 3kV 测试、我们建议 R = 1.7k Ω
(VHIPOT - VAVA)/ R = IAVA
R =(3kV - 1.3kV)/ 1 mA
R = MΩ Ω。
接下来是否要进行任何 EMI 或 ESD 测试？ 如果是、您可以考虑在器件上添加电容。
如果您正在进行 EMI 测试并需要 通过 CISPR25 5类测试、我们建议在 TPSI2140-Q1上添加电容、为通过隔离发送的噪声提供一条返回路径、如下图(在"ESD"部分中)所示。
如果您在电压大于5kV 的情况下进行 ESD 测试、我们建议在 TPSI2140-Q1上添加电容、以限制器件上的电压、如下图所示。 附加了幻灯片以了解更多信息。
此致、
Tilden Chen
固态继电器|应用工程师
您好、Parth、
感谢您的答复。 我知道改变电阻值可能会影响测量精度。 增加电阻的目的是降低电流、以限制器件功率耗散。 我们可以限制的另一个变量是电压以保持相似的电阻、可能会在机箱 GND 上增加第三个 TPSI2140。
如果您的 HiPot 测试分别从 HV+到机箱 GND 以及从 HV-到机箱 GND 应用了3kV 60秒、则每个的串联 R 可以是≥Ω 400 kΩ。
如果您的 HiPot 测试同时从 HV+到机箱 GND 以及 HV-到机箱 GND 施加3kV 60秒、则每个的串联 R 可以是≥Ω 800 kΩ。
此致、
Tilden Chen
固态继电器|应用工程师
