工具/软件:
您好:
我们考虑使用 TPS51206来为 DDR4 SDRAM 生成终端电压(VTT)。
在我们的设计中:
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仅使用 VTT 输出。
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VTTREF 为 未使用 但我们已经按照数据表中的建议在 VTTREF 引脚上放置了一个去耦电容器。
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S3和 S5通过10kΩ 电阻器上拉至 VDD (5V)。
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VDDLDO 提供2.5V 电压。
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VDDSNS 的供电电压为1.2V。
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VTT 输出预计为0.6V。
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由于机械限制、 PGND 直接连接到散热焊盘。
根据上述设置、您能否确认 TPS51206是否适合在此 DDR4应用中使用且安全?
非常感谢您的支持。