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部件号：LMG2100R044 工具/软件：
您好团队：
LMG2100R044是否有任何上升时间和下降时间规格？
我认为它们是 MOSFET 的常见规格参数。
此外、还需要它们来计算开关损耗。
数据表的公式(5)中需要 TTR。
此致、
Kee Kuhara.
工具/软件：
您好团队：
LMG2100R044是否有任何上升时间和下降时间规格？
我认为它们是 MOSFET 的常见规格参数。
此外、还需要它们来计算开关损耗。
数据表的公式(5)中需要 TTR。
此致、
Kee Kuhara.
嘿、Kei、
感谢您的联系。
器件输出(即开关节点)的上升和下降时间规格不是恒定的、可根据运行条件进行计算。
对于上升时间、可参考图5.7数据表中给出的压摆率曲线。
如果您不使用任何压摆率控制电阻器、则压摆率将最高、您可以将其在25°C 时的22 V/ns 周围、添加压摆率电阻器后、可以降低开关节点的压摆率、相应地、22 V/ns 值将发生变化。
现在使用压摆率值、您可以得到开关节点在任何工作电压下的上升时间。
上升时间(ns)=电压电平/22
器件数据表的8.2.2.3压摆率控制部分提供了使用压摆率控制电阻器来控制高侧和低侧 FET 的导通速度的指导。
开关节点的下降时间取决于负载电流和 FET 的 Coss (tr)、我们只需使用关系式首先获得关断压摆率、
IOUT = Coss (tr) x dv/dt；
而 dv/dt 为关断压摆率、Coss (tr)(来自数据表)= 548 pF
现在、在任何输出负载电流下、都可以计算关断压摆率、然后使用、我们可以获得任何电压电平下的下降时间。
如果您还需要任何其他信息、敬请告知。
此致、
Rohan
您好 Rohan、
我有一个关于如何计算开通时间和关断时间的问题。 35V、9A、Rg = 1 Ω 时、使用 LMG2100R44测试 DPT。 I measured LS 漏源电压的上升和下降时间。 结果、上升时间= 12.5ns、下降时间= 10ns。 我注意到结果不符合您的指示。 您的公式是否真的正确？
接下来、 我测试了使用 LMG2100r44设计的升压电路。 I 测量上升和下降时间、然后计算开关损耗。 我使用了数据表中的公式、 可以看到开关损耗大于整个电路的总损耗。 我使用了 P=1/6*V*I*FSW (即漏极电流和漏源电压在开关时间同时变化)、结果几乎是正确的。 您能提供波形并说明上述结果吗？
此致、
Thi Pham Van
尊敬的 Rohan：
感谢您的反馈！
1. 
一些振荡形式的 Vds 图片
2. DPT 电路的所有参数,我在最后一个问题中提到。 我不明白的是、为什么电阻减小、上升和下降时间会增加。
3.在升压转换器中。 频率= 500kHz、死区时间= 50ns。 正如我提到的、在250W 下、负载电流= 4.3A。 您能给我提供以下值吗：第三 quarant 运行时的阈值电压、平坦电压、源漏电压降？
此致、
Thi Pham Van
