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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1508611/bq25185-temperature-rise-based-on-my-application-based-power-dissipation-calculation-required
工具/软件：
尊敬的 TI 团队：
我已根据 BQ25185数据表中的8.3.7.6部分计算了功率耗散、结果为1.21W。
请根据我计算的功率耗散、如何计算功率以及应使用的公式指导我了解温升情况。
所附的参考原理图如下。 我期待尽快收到回复。
此致、 Ahmed Ali
尊敬的 Ahmed：
充电器的芯片结温可使用以下公式进行估算：
TJ = TA + θJA μ A * PDISS
从 BQ25185数据表中可以看出、 θJA = 68.3°C/W、环境温度(TA) 通常假定为25°C。
也就是说、θJA Ω 在很大程度上取决于电路板布局布线、因此这只是一个粗略的估算值。 以下应用手册 提供了更多详细信息：
半导体和 IC 封装热指标
1.21W 似乎足以让 BQ25185耗散大量功率。 您能否分享一下 PDISS 的计算结果？
此致、
Alec
以下计算基于应用中的最坏情况：
PSYS =(VIN - VSYS)*Iin =(5-4.5)*1.1 = 0.55W PBAT =(VSYS - VBAT)* IBAT =(4.5-3.4)* 0.6 = 0.66W PDISS = PSYS + PBAT = 0.55 + 0.66 = 1.21W 虽然在最坏的情况下我的负载电流为350mA、但我想问如何将其纳入计算中。
我期待着再次听到。
下面是 PDISS 公式的另一种形式：
PDISS =[(VIN - VSYS)*(ISYS + IBAT)]+[(VSYS - VBAT)* IBAT]
IIN 是系统负载和充电电流的总和。
谢谢您、Alec。 也请帮助我处理有关 BQ25185的另一个主题。
没问题、很乐意提供帮助。 我也回答了你的另一条线。
