[参考译文] LM5148：预偏置启动过程的详细说明-自举充电和从 DCM 到 CCM 的转换

感谢您的回答。 不过、我仍然缺乏一些更具体的细节。  

我仍然对这到底是如何运作感到困惑。 根据我的理解、DEM 下的正常运行模式是在高侧 FET 完成其导通周期后。 低侧 FET 将在死区时间后导通、并保持导通状态、直到 LS FET 的 D-S 电压超过 ZCD 阈值。 在初级电感器中的电流流向输出端的情况下、这是可以理解的、因为根据体二极管上的正向偏置压降、低侧 FET 的 D-S 电压最初将为负。 当低侧 FET 上的开关时、D-S 电压将由电感器中的电流(当它斜降至零时)和 FET 的 RDS (on)决定、但当电感器电流接近零时、电压将接近0V、但始终为负值。

但是、当自举电容器未像预偏置输出情况下那样充电时、高侧 FET 无法导通。 LS FET 必须导通初始开关、将 SW 节点拉至 GND、以便自举电阻从 Vcc 充电。  

因此、我是否假设 LS FET 在随后瞬时关断之前在绝对最短关断时间(~90nS)内导通、因为由于初级电感中的电流实际上与正常值相反、因此 LS FET 的 D-S 电压将始终略微为正。

我们假设由于 LS FET 的导通时间非常短、因此可以反向累积的电流非常小、根本没有太多时间斜升。 此外、我是否假设由于该电流电平相对较低、随后的 SW 节点电压上升和通过 HS FET 体二极管的能量转储微不足道？ 不过、如果我理解正确、低侧最短关断时间长于 HS 最短导通时间90ns、而不是50ns。 在 FB 电压上升至高于 SS 斜坡的瞬间、HS FET 也将开关接近其最短导通时间、因此在短时间内、净能量将从输出端流向输入端。

这是否真的不值得关注？

此外、您能否解释一下在实现调节后将 ZCD 阈值从0增大到200mV 的好处。 LM514X 系列各成员的数据表中提到、从 DCM 到 CCM 的转换发生了超过1000个周期。 随着 ZCD 阈值从0 -~200mV 变化。  我假设这可以让初级电感器中的任何低负载反向电流逐渐累积。 但为什么呢？ 从 DCM 到 CCM 的恶劣转换会产生什么影响、这是否会再次对集成电路的完整性产生任何影响？

再次感谢

谢谢、我在产品页面上没有看到 SPICE 模型。  

尽管我在某些方面理解您的原因。 我想说的是、我只需要猜测芯片的功能、或者进行逆向工程。 如果您决定提供帮助、将会容易得多。

也许我们可以签订 NDA？ 你有一个正式的机制吗?

谢谢大家。

谢谢 David、

但是它已经加密、我们不使用 PSpice。 无论如何都要谢谢 长期免费啤酒！