[参考译文] LM5148：预偏置启动过程的详细说明-自举充电和从 DCM 到 CCM 的转换

感谢您的回答。 不过、我仍然缺乏一些更具体的细节。  

我仍然对这到底是如何运作感到困惑。 根据我的理解、DEM 下的正常运行模式是在高侧 FET 完成其导通周期后。 低侧 FET 将在死区时间后导通、并保持导通状态、直到 LS FET 的 D-S 电压超过 ZCD 阈值。 在初级电感器中的电流流向输出端的情况下、这是可以理解的、因为根据体二极管上的正向偏置压降、低侧 FET 的 D-S 电压最初将为负。 当低侧 FET 上的开关时、D-S 电压将由电感器中的电流(当它斜降至零时)和 FET 的 RDS (on)决定、但当电感器电流接近零时、电压将接近0V、但始终为负值。

但是、当自举电容器未像预偏置输出情况下那样充电时、高侧 FET 无法导通。 LS FET 必须导通初始开关、将 SW 节点拉至 GND、以便自举电阻从 Vcc 充电。  

因此、我是否假设 LS FET 在随后瞬时关断之前在绝对最短关断时间(~90nS)内导通、因为由于初级电感中的电流实际上与正常值相反、因此 LS FET 的 D-S 电压将始终略微为正。

我们假设由于 LS FET 的导通时间非常短、因此可以反向累积的电流非常小、根本没有太多时间斜升。 此外、我是否假设由于该电流电平相对较低、随后的 SW 节点电压上升和通过 HS FET 体二极管的能量转储微不足道？ 不过、如果我理解正确、低侧最短关断时间长于 HS 最短导通时间90ns、而不是50ns。 在 FB 电压上升至高于 SS 斜坡的瞬间、HS FET 也将开关接近其最短导通时间、因此在短时间内、净能量将从输出端流向输入端。

这是否真的不值得关注？

此外、您能否解释一下在实现调节后将 ZCD 阈值从0增大到200mV 的好处。 LM514X 系列各成员的数据表中提到、从 DCM 到 CCM 的转换发生了超过1000个周期。 随着 ZCD 阈值从0 -~200mV 变化。  我假设这可以让初级电感器中的任何低负载反向电流逐渐累积。 但为什么呢？ 从 DCM 到 CCM 的恶劣转换会产生什么影响、这是否会再次对集成电路的完整性产生任何影响？

再次感谢

谢谢 David、

好的、这与我预期的类似、似乎除非您具有非常小的输入大容量电容、否则这种泵送效应几乎没有什么影响。

我会问、如果可能、您会分享有关引导刷新的更多详细信息。 原因是我正在为 IC 开发一个 SPICE 模型。 因为我已经有很多没有模型的 TI 芯片。 在开发模型时、微妙和具体的实现细节变得非常重要。

作为公司的硬件开发人员、我的职责是确保我们"选定"组件库存中的任何设备都可用于仿真。 我们对此非常严格、因为这有助于我们显著减少 设计迭代次数。  

然而、这显然依赖于良好的模型。 如果您可以帮助我更准确地开发这些产品、这对我们来说是一大帮助、让我不必猜测器件在内部执行的操作。

非常感谢任何帮助。

谢谢、我在产品页面上没有看到 SPICE 模型。  

尽管我在某些方面理解您的原因。 我想说的是、我只需要猜测芯片的功能、或者进行逆向工程。 如果您决定提供帮助、将会容易得多。

也许我们可以签订 NDA？ 你有一个正式的机制吗?

谢谢大家。

谢谢 David、

但是它已经加密、我们不使用 PSpice。 无论如何都要谢谢 长期免费啤酒！