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器件型号：UCC21330-Q1 主题中讨论的其他器件：UCC21330、UCC5350、UCC21550
工具/软件：
客户将 SiC MOS 与开尔文 PIN 一起使用、如下图所示。
对于 E2引脚、我们是否有建议电路？
工具/软件：
客户将 SiC MOS 与开尔文 PIN 一起使用、如下图所示。
对于 E2引脚、我们是否有建议电路？
尊敬的 Fabio：
下面是一个测试板的原理图示例：
开尔文连接可在导通期间更大限度地增大施加到栅极的 Vgs。 通常、由于流入源极的大电流、在开关导通时源极电压会上升。 由于栅极驱动器以大电流源为基准、因此该源极电压上升会侵蚀施加到栅极的 Vgs。
开尔文连接使栅极的电源能够在大电流引起的任何源极电压上升上浮动、并在导通瞬态期间保持一致的 Vgs。
两个源极引脚在 FET 内部连接。
此致、
Sean
尊敬的专家：
客户希望在800V 压缩机项目中使用此电路来驱动具有开尔文引脚的 SiC MOSFET。
占空比会有所不同。
1.您知道我们是否有关于使用以下半桥电路的800V SiC 压缩机系统的一些成功案例吗?
对于占空比变化的情况、这似乎非常困难。
2.您能提供 CZ 和 VZ 的建议值吗?
尊敬的 Fabio：
目前、我没有采用开尔文 Vgs 连接的 UCC21330参考原理图。 UCC5350原理图也会驱动半桥、而 UCC21330双通道可以进行类似的配置以驱动半桥。 有关开尔文连接的电源配置应相同。
UCC21330是基本隔离栅极驱动器、支持高达1200V 的直流基本隔离栅额定值。 800VDC 在规格范围内。 我不知道可以从其他客户那里分享哪些信息、但800V 通常更适合 UCC21550、这种规格更宽、并支持高达2121V 的增强型隔离额定值。 与前代器件相比、这两款器件在稳健性和成本方面都有了显著改进。
3.我不建议使用 CZ 和 VZ 电路。 齐纳二极管的正向电压取决于正向电流、因此仅在固定占空比下保持稳定。 它还对温度敏感。
最令人担忧的是在 CZ 有机会充电之前注入全电压、这可能会在每次启动时超过 FET 的 Vgs 额定值。 如果您需要更强的关断、则只需使用具有接地电源的0 Ω 关断电阻器、即可防止米勒尖峰并更大限度地降低 Eoff 损耗。
下面是 TINA 仿真模型、您可以使用它来研究不同的 CZ 和 VZ 设置。 根据该仿真、对于 Cgs = 1nF、我建议 CZ=50nF。
e2e.ti.com/.../0702.bootstrap_5F00_circuit_5F00_negative_5F00_turnoff.TSC
此致、
Sean
