[参考译文] LM5050-1：关于栅极关闭时序

大家好！

其他问题：

当栅极具有10 Ω 电阻时、是否可以计算 IGATE (OFF)电流？
请告诉我计算公式。

尊敬的 Tamaki：

关断时间可通过使用栅极下拉强度和 MOSFET Ciss、并通过通用电容公式计算得出。 (I=Cdv/dt)

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven：  

感谢您的合作。
计算值与实际测量值不匹配、因此请告知我是否有任何其他因素会影响计算值。

当我计算以下条件下的峰值电流时、它与实际测量值不匹配。

Ipeak = Vgs/Rg
= 10Ω
= 432mA

测量值= 324mA

[条件]
Ciss = 5880pF
Vgs = 4.32V
RG = 10Ω
T = 180ns

我认为这是由于 LM5050的内部电阻造成的。
请告诉我正向到反向转换以及从低电平到高电平的关断引脚期间的内部电阻值。

我想看一个具体的计算例子。

尊敬的 Tamaki：

根据数据表规格、电阻的典型值约为1.2 Ω。

其范围可以是1.7 - 1.2欧姆

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven：  

给出求解1.7-1.2欧姆的方程是什么？

尊敬的 Tamaki：

它来自 V/R 公式。 根据数据表、VGS 为3V 时的典型电流为2.8A。 3V 时、最小电流为1.8A。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven：  

感谢您的回答。

内部电阻是否同时正向转换到反向、关断引脚从低电平转换到高电平？

尊敬的 Tamaki：

电阻不应改变。

数据表指出"除非另有说明、否则以下条件适用：V IN = 12V、V VS = V IN、V OUT = V IN、V OFF = 0V、C GATE = 47nF、T J = 25°C。"
但可以对 VGS 使用3V 电压吗？

尊敬的  Shiven：  

在数据表的方框图中、FET 看起来在或电路之后驱动、但我认为 FET 的驱动条件不同。

我们电路中获取的电流波形具有​​正向到反向转换和 OFF 引脚从低电平到高电平的电流值、这会导致不同的 FET 驱动条件。

尊敬的  Shiven：  

我们确认了不同形状的栅极灌电流。

关闭端口控制和 VSD 反向关断之间。

问题

    2A MOSFET 的栅极驱动是否有任何不同？

 用于 Ex)

大家好！

如果你能在明天之前答复、我将不胜感激。

此致、Tamaki

尊敬的 Tamaki：

TI 印度今天正在度假。 我会在星期一回来的。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Tamaki：

我与设计师一起检查了结果。 反馈如下。

由于 VGS 电压不同、共享的结果并不可比。

该 VGS 电压会导致内部 FE 开关的电阻存在差异。

建议使用类似的 VGS 进行测试。 假设 VGS = 100mV 或 VGS = 8V。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的  Shiven：  

感谢您的确认。

您回答了 MOSFET Ciss 可以使用通用电容公式(I=Cdv/dt)计算、但这是否意味着无法计算它？

尊敬的 Tamaki：

仍然正确、由于客户添加了一个10欧姆的电阻器、此公式不会显示为正确。  

此致、

Shiven Dhir

尊敬的  Shiven：  

我会重新提出这个问题。

为了验证我们的电路的有效性、我们希望计算反向关断的栅极放电时间(tGATE (REV))
当栅极电阻为10 Ω 时的和关断端子控制(tGATE (OFF))。

问题
当栅极电阻为10 Ω 时、计算 tGATE (REV)和 tGATE (OFF)的公式是什么？

此致、Tamaki

尊敬的 Tamaki：

在找出使用10 Ω 电阻流入 IC 的电流后、可以计算出该公式。

请帮助重复在 OFF 引脚和反向电流条件下 VGS = 8V 的实验。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的  Shiven：  

由于我们希望验证电路的有效性、因此没有必要执行 VGS = 8V 的实验。
我知道这些规格是代表性特性、但当 VIN = 12V 时、VGATE = VIN + 3V

问题1： VGS = 100mV、VGS = 8V 这两个值在哪里？

在我们的电路中、流过10 Ω 栅极电阻器的电流的测量方式如下所示：
因此、我们认为可以计算 tGATE (REV)和 tGATE (OFF)。
我想知道计算 tGATE (REV)和 tGATE (OFF)的公式。

规格说明 tGATE (REV)最大值：350ns、tGATE (OFF)典型值：486ns。

问题2： 您能告诉我计算与此值接近的公式和条件吗？

关闭控制
VGS 电压：3.44V
栅极电流：148mA

反向关断
VGS 电压：4.32V
栅极电流：324mA

[条件]
FET Ciss：5880pF
RG：10Ω

尊敬的 Tamaki：

VGS = 100mV 和 VGS =8V 是 GATE 的一个示例值、其中您应该能够使关断电流相等。 基本上、目的是在这两种情况下使 VGS 保持相等。

反向电流：

数据表指出、反向电流条件下的典型关断时间为180nS。

这也讨论了 VIN-500mV 到-500mV 的 VOUT 转换条件。  

200mV 表示栅极得到完全增强、VGS 为~12V、在 VGS 为1V 之前进行测量。 这意味着栅极的电压差为11V。

这可以使用 I=cdV/dT 公式进行合理化。

2.8A = 47nFx (11)/dT ~185nS、符合180nS 规格。

关闭：

tGATE (OFF)还将具有一定的传播延迟。

注意：这些公式对于恒定的下拉源有效、而在现实中、我们看到电流峰值脉冲和关断时间应该会变长一些。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的  Shiven：  

使用 OFF 控制时、是否可以计算出关断时间会稍长？

计算需要哪些要素？

此致、Tamaki

尊敬的 Tamaki：

OFF 引脚增加了传播延迟。 REST、整个计算结果保持不变。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的  Shiven：  

控制 OFF 引脚时的最大传播延迟是多少？

此致、Tamaki

尊敬的 Tamaki：

我会与设计师核实、星期五之前回复您。

此致、

Shiven Dhir