[参考译文] BQ76930：DSG FET 烧毁和1V 栅极驱动

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Other Parts Discussed in Thread: BQ78350-R1A, BQ76930, BQSTUDIO, TIDA-00449

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1500824/bq76930-dsg-fet-burnout-and-1v-gate-drive

器件型号：BQ76930
主题中讨论的其他器件：BQ78350-R1A、 BQSTUDIO、TIDA-00449

工具/软件：

尊敬的团队：

如上一个主题中所述、我们面临着基于 BQ76930和 BQ78350-R1A 的 BMS 设计反复出现的问题。

最初、我们怀疑该问题是由于我们6S 锂离子配置中 REGSRC 引脚的电压不足所致。我们通过提供从 C10 (最大25.2V)到 REGSRC 的直接连接来解决此问题、并将早期帖子标记为已解决。但是、该问题再次出现、出现了非常相似的症状：

首次上电时、电路板正常工作- CHG 和 DSG 引脚均按预期输出约12V 的电压。
在连续测试期间、BQStudio 中未报告故障、我们观察到其中一个电路板出现故障、其中放电 FET 在2A 负载下烧毁。值得注意的是、CHG 在所有电路板上继续正常运行、但 DSG 行为异常。
在移除损坏的 FET 后、我们发现 FET 的漏源之间短路。还观察到 DSG 栅极驱动电压显著下降、在0.5V 和1V 之间波动。

这些测试期间的 REGSRC 电压为23V (最大值)和18V 最小值在所有情况下、REGOUT 电压始终为2.5V。
如上所述、该测试在6S 系统上以2A 的最大负载完成。所有 FET 的额定电流都更高。我们认为没有理由会损坏 FET。

我们非常感谢您对解决此问题的支持。我很高兴私下分享原理图和 Gerber 文件、以便进行详细的审阅。
期待您的指导。

此致、

诺埃尔·宾尼·亚伯拉罕

7 个月前

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2481275 points

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你好 Noel、

DSG MOSFET 可能会损坏的原因有很多。该主题涵盖了其中的大部分内容：

如何调试短路测试导致的 FET 故障

您能否确认所有这些情况？任何瞬态/振荡/等

此致、

Luis Hernandez Salomon

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2481275 points

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您好 Luis：

测试在大约2A 的负载电流下进行、以证明功能测试并且 FET 的额定电流和电压要高得多。

项目1：签出。这方面没有问题
项目2：签出。这方面没有问题
第3项：签出。这方面没有问题
项目4：我们使用了 TIDA-00449 (https://www.ti.com/lit/ug/tiduar8c/tiduar8c.pdf) 和 BQ78350-R1A 中所述的相同电路。使用的栅极电阻器为10 Ω 电阻器。

我从示波器上拍了几张照片、并在下面附上这些照片以供您参考。我也会在 pvt 聊天中分享原理图和 PCB、以供您参考。
我们使用了一个10 Ω 栅极电阻器。

1. FET 在导通过程中不会出现任何瞬态尖峰、如下所示：(VGS)：

2. FET 栅源在无故障条件下连续运行10分钟后开始下降并进入连续振荡状态。在这种情况下、负载设置为1A 放电、并且在正常工作大约10分钟(12V Vgs)后、驱动输出发生了变化、如下所示、如上所述、在 BQStudio 应用中未检测到故障、OCD 和 SCD 设置为更高的限值：

6S 系统上的所有电路板都在我这边显示了相同的行为观察到这一点后、IC 绝不会正确驱动栅极、根据我们的理解、IC 会永久损坏。我们将更换 IC 并检查在更换后是否出现同样的问题。

请仔细研究一下、并告诉我是否还有我们可以在最后进行的故障排除

此致、
诺埃尔·宾尼·亚伯拉罕