This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25756:MOSFET 损坏

Guru**** 2481465 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25756

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1503997/bq25756-mosfets-getting-damaged

器件型号:BQ25756

工具/软件:

您好、

我们正在尝试将 BQ25756用于太阳能街灯应用、其输出功率要求为 250W。

主要是在外部控制器的编程/调试期间、MOSFET 会损坏、但不限于此、有时会在正常运行期间损坏。

现在、我们已经进入了一个非常关键的阶段、这是我们第三次尝试制造此产品、但我们正在不断获得这一结果。

我们为"DRV_SUP"使用10V 的外部电源。 但在出现此问题后、我们将输出降低至7V (通过更改电阻 R2)、但 MOSFET 仍无法承受电压。

之前(第二次尝试)我们使用了80V MOSFET "IAUCN08S7N013ATMA1"。

这(第三次)我们使用了100V MOSFET "GT010N10TL"。

随附的是原理图。 大多数情况下 M2或/和 M4损坏。

输入太阳能电池板:500W、46V。

蓄电池:2 x 12V [40Ah]串联。

输出(LED):(40V 1.25A) x 2并联。  

我们非常感谢您的快速答复。

谢谢、

Muhammad Saad Tariq.  

e2e.ti.com/.../7612.Schematic-PDF.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Muhammad、

    感谢您对此有耐心。 我们来看一下、下周晚些时候再回来联系您。

    此致、
    Ethan Galloway

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Muhammad、

    再次感谢您对此有耐心。

    对于原理图、我有一些建议/问题、可能会有所帮助:

    • 如果使用 DCR 较高(10mΩ 左右)的电感器、电路行为是否会改善?
    • 您能给我发送 BTST 二极管的数据表吗?
    • 当使用外部栅极驱动电源时、是否已从 REGN 断开 DRV_SUP?
    • 您发送给我的原理图中未列出元件值。 VAC 和 VBAT 上的电容有多大?

    我有几个设置问题可以帮助调试此问题:

    • 您是否可以获取 SW1、SW2、VBAT 和 IBAT 的示波器捕获? 这些波形看起来是否正常?
    • 您是否设法在示波器上捕获 FET 的中断? 这可能很难测试。 我们可能可以在没有此信息的情况下调试电路。

    此致、
    Ethan Galloway

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ethan、

    感谢您的 支持和时间。 以下是您的建议/问题的答案:

    1. 首先我们使用了 带有 DCR 1.9 mΩ 的电感器"PQ2614BHA-100K"、然后更改为具有 DCR 6 mΩ 的电感器、 但 结果是相同的。

    2. BTST 二极管部件号为"SX3H15-AU_R2_006A1"、随附数据表。

    是的、REGN 未连接到 DRV_SUP。

    4.对不起发送原理图没有值,我会附上"原理图写值"。 VAC 和 VBAT 都有330uF x 2、然后我们将其更改为100uF x 3。

    对于波形、我们 将尝试捕获并共享它们。 但捕获 FET 断开会很困难。

    此致、

    Muhammad Saad Tariq.  

    e2e.ti.com/.../SX3H15_2D00_AU.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请查看 随附的原理图以及值/元件器件型号

    .e2e.ti.com/.../7612.Schematic-with-values.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Shahzad、

    感谢您提供新信息。

    对于波形、最好看到电路正常运行。

    此外、如果可能、您能给我发送电路板的布局布线吗?

    此外、如果将330µF 电容器替换为50µF 或100µF 电容器、FET 是否仍然会断开?

    在本周晚些时候、我将更深入地了解您的原理图。

    此致、
    Ethan Galloway

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ethan、

    您能分享一些电子邮件地址以便我可以共享电路板的 PCB 布局吗?

    是的、它们仍然以较小的电容发生损坏。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Shahzad、

    您能否通过 E2E 向我发送您布局文件的私人消息?

    此致、
    Ethan Galloway

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Shahzad、

    感谢您通过私人消息向我发送您的文件。 我将把这个 E2E 主题标记为"已解决"。

    此致、
    Ethan Galloway