[参考译文] BQ25756：MOSFET 损坏

您好 Muhammad、

感谢您对此有耐心。 我们来看一下、下周晚些时候再回来联系您。

此致、
Ethan Galloway

您好 Muhammad、

再次感谢您对此有耐心。

对于原理图、我有一些建议/问题、可能会有所帮助：

• 如果使用 DCR 较高(10mΩ 左右)的电感器、电路行为是否会改善？
• 您能给我发送 BTST 二极管的数据表吗？
• 当使用外部栅极驱动电源时、是否已从 REGN 断开 DRV_SUP？
• 您发送给我的原理图中未列出元件值。 VAC 和 VBAT 上的电容有多大？

我有几个设置问题可以帮助调试此问题：

• 您是否可以获取 SW1、SW2、VBAT 和 IBAT 的示波器捕获？ 这些波形看起来是否正常？
• 您是否设法在示波器上捕获 FET 的中断？ 这可能很难测试。 我们可能可以在没有此信息的情况下调试电路。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

感谢您的 支持和时间。 以下是您的建议/问题的答案：

1. 首先我们使用了 带有 DCR 1.9 mΩ 的电感器"PQ2614BHA-100K"、然后更改为具有 DCR 6 mΩ 的电感器、 但 结果是相同的。

2. BTST 二极管部件号为"SX3H15-AU_R2_006A1"、随附数据表。

是的、REGN 未连接到 DRV_SUP。

4.对不起发送原理图没有值,我会附上"原理图写值"。 VAC 和 VBAT 都有330uF x 2、然后我们将其更改为100uF x 3。

对于波形、我们 将尝试捕获并共享它们。 但捕获 FET 断开会很困难。

此致、

Muhammad Saad Tariq.  

e2e.ti.com/.../SX3H15_2D00_AU.pdf

您好 Shahzad、

感谢您提供新信息。

对于波形、最好看到电路正常运行。

此外、如果可能、您能给我发送电路板的布局布线吗？

此外、如果将330µF 电容器替换为50µF 或100µF 电容器、FET 是否仍然会断开？

在本周晚些时候、我将更深入地了解您的原理图。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

您能分享一些电子邮件地址以便我可以共享电路板的 PCB 布局吗？

是的、它们仍然以较小的电容发生损坏。

您好 Shahzad、

您能否通过 E2E 向我发送您布局文件的私人消息？

此致、
Ethan Galloway