[参考译文] HD3SS3220：交流耦合电容器放置

您好、

1)交流电容器通过阻断直流共模将任何输入信号的共模设置为0。 交流电容器放置在多路复用器的两侧、以确保共模超出 HD3SS3220规格的器件和主机可操作性。

当交流电容器位于信号路径的两侧时、多路复用器的共模处于未定义/悬空状态。  下拉电阻器用于将两个交流耦合电容器之间的悬空网保持在已知0V。  

2) 1uF 会使 USB 信号的边缘减慢过多。 此处使用了470nF 的值、因此不超过 USB 总线电容规格。

3)不要确定您所指的电阻。

4)是的、这就是我们必须对 EVM 进行双交流耦合的原因。

尊敬的 Vishesh：

感谢您的答复。

对于您的答案1、交流耦合电容器不放置在多路复用器的两侧。  它仅放置在符合 USB 规范的 TX 侧。 此外、正如您提到的、"交流电容将共模信号设置为0"、那么如果输入信号已经在 USBC/USBA 板上进行了交流耦合、为什么我们需要额外的交流电容？

回答#2时、470nF 不在 USB 规格范围内。 但与100nF 串联、得到的总电容为82nF、处于规格范围内。 具有100nF 的1uF 串行电容器对于总电容(90nF)没有太大变化、并且符合 USB 规范。  

对于#3、R39、R40、R41、R42。

对于答案4、总交流耦合除以一半。 为什么交流耦合的一半/两倍会影响共模瞬变。

非常感谢！

您好、

1)电容电路不是必需的。 该工具可确保 EVM 可与任何 USB 设备或主机配合使用、即使这些设备和主机不投诉也是如此。  我们不知道将哪些器件插入 EVM、因此为了避免在超出规格共模电压的情况下损坏器件、我们器件添加了额外的0.47 μ F 电容器。

2)是的,这个逻辑是正确的。 我们没有使用1uF 等更大的电容器来提高总线电容容差的原因是、信号路径上的大电容器会影响数据的上升沿和下降沿、从而降低信号完整性。  

3)这是为了将所有信号置于已知电平、因为可能使用具有 RX 电容器的主机系统。 如果使用此类主机系统、则多路复用器共模电压将悬空。 电阻器将其置于已知状态。 它们还提供了在热插拔通风孔中更快地放电盖的附加功能。  

4)交流耦合通过阻断任何直流共模将共模设置为0V。 这就是大写字母如何解决这个问题。 总线电容将保持在规格范围内、但在本 EVM 实现中、HD3SS3220的共模始终为0V。