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工具/软件:
你(们)好
启动时、浪涌电流过高。
有没有办法加以改进?
出于安全原因、不能披露原理图。
您能告诉我我如何亲自交付?
输入:15V
输出:24V 3.5A
*波形

CH1 栅极
CH2漏极电压
通道3漏极电流
谢谢
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工具/软件:
你(们)好
启动时、浪涌电流过高。
有没有办法加以改进?
出于安全原因、不能披露原理图。
您能告诉我我如何亲自交付?
输入:15V
输出:24V 3.5A
*波形

CH1 栅极
CH2漏极电压
通道3漏极电流
谢谢
您好、David:
感谢您使用 e2e 论坛。
在升压拓扑中、输入和输出通过电感器和高侧 MOSFET 直接相互连接。
即使 MOSFET 导通、电流也会通过体二极管从输入流向输出。
如果您打开输入侧的电源、即使控制器尚未处于活动状态、输出电压也会充电至输入电压电平。
这会产生无法避免的强浪涌电流。
为避免这种浪涌、有必要将输入与输出侧断开。
LM5121 器件与 LM5122属于同一产品系列、但具有断开开关、它在上电期间缓慢导通以减少此浪涌电流。
遗憾的是、切换控制器器件需要更改布局。
如有其他相关问题、敬请告知。
此致、
Niklas
我目前正在进行采用 LM5122的高电流升压转换器设计、我注意到 在启动或负载瞬态期间、我的应用中的电感器电流超过70A。
在审查 LM5122 EVM 设计后、我观察到以下情况:
EVM 上使用的电感器在该水平下似乎没有达到饱和电流的额定值。
不实施浪涌电流限制电路(例如 NTC 热敏电阻、预充电 FET 或断开开关)。
请您澄清一下:
EVM 如何安全地处理潜在的电感器饱和或高浪涌电流事件?
此 EVM 是否仅用于有限负载条件下的实验室级演示?
有关如何调整 EVM 或生产设计以支持高电流用例的任何建议都会非常有用。
还有一个问题:
这时会产生浪涌电流 然后 IC 开始开关 、并且浪涌路径似乎是:
输入→μ H 电感器→FET 体二极管→μ F 输出电容器。
在这种情况下:
是否适合应用 FET 的体二极管 ID 脉冲额定值 来评估此浪涌电流所产生的应力?
另外、如果电感器是这样 短暂超过饱和电流额定值(约30A)一次 在启动期间、
这是可以接受的、还是可能导致潜在的长期可靠性问题?
您好、David:
出现浪涌电流 然后 IC 开始开关 、并且浪涌路径似乎是:
输入→μ H 电感器→FET 体二极管→μ F 输出电容器。 [/报价]您是对的。
EVM 上没有针对这种浪涌电流的保护措施。
另外、在故障情况下、输出短路、不实现保护、因为控制器无法执行任何操作来阻止此电流路径。损坏电感器的风险很小。
如果电感器饱和、电感会减小、直到电感器的行为类似于短路。
一旦电流减小、电感器就会恢复、并且不存在长期可靠性问题。MOSFET 是最弱的部分、因为如果其温度因流经体二极管的电流而过高、它可能会损坏。
但是、浪涌仅发生很短的时间、因此在大多数情况下没有损坏。 (这取决于 MOSFET 元件、但我不是该领域的专家)此致、
Niklas
您好、David:
感谢您关注 TI FET。 理论上、体二极管最大电流应与 FET 导通时的电流相同。 但是、它受到功率耗散的限制。 浪涌脉冲有多长? 客户能否提供显示详细浪涌脉冲的放大波形? 对于单个脉冲、我们可以使用数据表图1中的归一化瞬态热阻抗图来估算结温升。 我在下面提供了一个链接、其中说明了如何计算体二极管最大电流。
https://www.ti.com/lit/pdf/SNVAA86
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
您好:
我已经查看了 TI 应用手册 SNVAA86—"功率 MOSFET 体二极管连续载流能力" 并了解如何计算 连续电流 体二极管电流的计算公式如下:
RθJX×=(Tjmax - TX)/(Δ V VSD)
但是、我在文档中找不到任何要评估的解释或方法 短路、高电流脉冲事件 体二极管的电流、例如 浪涌电流 显示屏。
我目前正在评估 CSD18543Q3A MOSFET、并且在系统启动期间、体二极管会检测到 持续时间约为120µs 的121A 浪涌电流(单粒子) 。
由于 SNVAA86侧重于稳态耗散和连续电流、因此我不确定我在网上找到的以下脉冲能量方法在技术上是否适用于我这样的单次浪涌条件:
E = I×V×t = 121A× 1.0V× 120µs = 14.52mJ
然后、将其与数据表的 EAS 等级进行比较 55mJ 、应力约为最大值的26%。
使用此参数是否正确且可接受 E = IVT 差分方程 浪涌能量 任何传导损耗?
TI 是否针对下的体二极管应力提供任何正式指导或裕度建议 重复的脉冲浪涌情况 ?
在数据表条件下、您是否考虑通过 CSD18543Q3A 的体二极管实现121A 的120µs 安全?
如果您能提供任何澄清或补充参考、我将不胜感激。
非常感谢!
此致、
尊敬的 Lee:
EAS 是雪崩额定值、与脉冲电流大不相同。 我们可以使用图1中的归一化瞬态热阻抗图来估算脉冲引起的结温上升。 为简单起见、假设 VSD = 1V:
Δ ΔTJ = PD x RθJC x ZθJC = 121W x 1.9°C/W x 0.1 (如图1所示)= 23°C
只要 TJ < TJMAX、就应该可以。 您还可以将此图用于重复功率脉冲、如下面的应用手册中所示。 我添加了一个关于脉冲电流额定值的链接。 如果您有任何问题、请告诉我。
https://www.ti.com/lit/an/sluaat8/sluaat8.pdf
https://www.ti.com/lit/pdf/SSZTCJ6
谢谢、
John