[参考译文] LM5122：浪涌电流。

你好、 Niklas

感谢您的支持。

客户公司表示很难更改 IC。
是否有办法可以在不更改 IC 的情况下额外改善外部电路？

谢谢

您好、David：

如果客户确认这种浪涌是由于开启电源而产生的、由于此浪涌与控制器无关、因此如果不更改布局、我认为无法优化设计。
它们可以采用 LM5122并实施外部电路、以限制开通期间的浪涌电流。
如果其系统可能缓慢升高电源电压、这也会减小浪涌电流。

此致、
Niklas

我目前正在进行采用 LM5122的高电流升压转换器设计、我注意到 在启动或负载瞬态期间、我的应用中的电感器电流超过70A。

在审查 LM5122 EVM 设计后、我观察到以下情况：

• EVM 上使用的电感器在该水平下似乎没有达到饱和电流的额定值。

• 不实施浪涌电流限制电路(例如 NTC 热敏电阻、预充电 FET 或断开开关)。

请您澄清一下：

1. EVM 如何安全地处理潜在的电感器饱和或高浪涌电流事件？

2. 此 EVM 是否仅用于有限负载条件下的实验室级演示？

有关如何调整 EVM 或生产设计以支持高电流用例的任何建议都会非常有用。

还有一个问题：

这时会产生浪涌电流 然后 IC 开始开关 、并且浪涌路径似乎是：
输入→μ H 电感器→FET 体二极管→μ F 输出电容器。

在这种情况下：

1. 是否适合应用 FET 的体二极管 ID  脉冲额定值 来评估此浪涌电流所产生的应力？

2. 另外、如果电感器是这样  短暂超过饱和电流额定值(约30A)一次 在启动期间、
   这是可以接受的、还是可能导致潜在的长期可靠性问题？

您好、David：

Unknown 说：

出现浪涌电流 然后 IC 开始开关 、并且浪涌路径似乎是：
输入→μ H 电感器→FET 体二极管→μ F 输出电容器。 [/报价]

您是对的。

EVM 上没有针对这种浪涌电流的保护措施。
另外、在故障情况下、输出短路、不实现保护、因为控制器无法执行任何操作来阻止此电流路径。

损坏电感器的风险很小。
如果电感器饱和、电感会减小、直到电感器的行为类似于短路。
一旦电流减小、电感器就会恢复、并且不存在长期可靠性问题。

MOSFET 是最弱的部分、因为如果其温度因流经体二极管的电流而过高、它可能会损坏。
但是、浪涌仅发生很短的时间、因此在大多数情况下没有损坏。 (这取决于 MOSFET 元件、但我不是该领域的专家)

此致、
Niklas

我们使用 TI 的 CSD18543Q3A MOSFET、可以看到 Id 脉冲  为156A。
CAN 体二极管 检测放大器也支持相同的信号 Id  脉冲  功率等级、或者它是否具有不同的限值？

您好、David：

感谢您关注 TI FET。 理论上、体二极管最大电流应与 FET 导通时的电流相同。 但是、它受到功率耗散的限制。 浪涌脉冲有多长？ 客户能否提供显示详细浪涌脉冲的放大波形？ 对于单个脉冲、我们可以使用数据表图1中的归一化瞬态热阻抗图来估算结温升。 我在下面提供了一个链接、其中说明了如何计算体二极管最大电流。

https://www.ti.com/lit/pdf/SNVAA86

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好：

我已经查看了 TI 应用手册 SNVAA86—"功率 MOSFET 体二极管连续载流能力" 并了解如何计算 连续电流 体二极管电流的计算公式如下：

RθJX×=(Tjmax - TX)/(Δ V VSD)

但是、我在文档中找不到任何要评估的解释或方法 短路、高电流脉冲事件 体二极管的电流、例如 浪涌电流 显示屏。

我目前正在评估 CSD18543Q3A MOSFET、并且在系统启动期间、体二极管会检测到 持续时间约为120µs 的121A 浪涌电流(单粒子) 。

由于 SNVAA86侧重于稳态耗散和连续电流、因此我不确定我在网上找到的以下脉冲能量方法在技术上是否适用于我这样的单次浪涌条件：

E = I×V×t = 121A× 1.0V× 120µs = 14.52mJ

然后、将其与数据表的 EAS 等级进行比较 55mJ 、应力约为最大值的26%。

我的问题：

1. 使用此参数是否正确且可接受 E = IVT 差分方程 浪涌能量 任何传导损耗？

2. TI 是否针对下的体二极管应力提供任何正式指导或裕度建议 重复的脉冲浪涌情况 ？

3. 在数据表条件下、您是否考虑通过 CSD18543Q3A 的体二极管实现121A 的120µs 安全？

如果您能提供任何澄清或补充参考、我将不胜感激。
非常感谢！

此致、