工具/软件:
大家好、TI 专家和 Geniuss、
假设 TPS6286X 通过将 FB 引脚接地强制实现100%模型、我是否会面临对反向电流的任何限制?
假设我特意想使用器件、以便在这种100%占空比模式下允许反向电流。 假设 Vin 小于5V、我施加的 VOUT 为5V、而电流250mA 为- 500mA。
。 假设 MOSFET 仍将得到完全增强、并且 MOSFET 中的功耗非常小。
这将是不在标签上使用,但你能证实这一理论是否有效?
好极了
Dimitri
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大家好、TI 专家和 Geniuss、
假设 TPS6286X 通过将 FB 引脚接地强制实现100%模型、我是否会面临对反向电流的任何限制?
假设我特意想使用器件、以便在这种100%占空比模式下允许反向电流。 假设 Vin 小于5V、我施加的 VOUT 为5V、而电流250mA 为- 500mA。
。 假设 MOSFET 仍将得到完全增强、并且 MOSFET 中的功耗非常小。
这将是不在标签上使用,但你能证实这一理论是否有效?
好极了
Dimitri
尊敬的 Dlmitri:
在本例中、将有反向电流从输出端流向输入端。 该电流可能会损坏共享同一输入电源轨的其他器件。 此外、如果电流较大、也会导致热问题。
由于此芯片不支持100%模式、如果它处于 FPWM 模式、那么当发生开关(Vo+VL)时、输入侧的电压将急剧上升、这可能会损坏芯片。
请问您为什么要以这种方式使用芯片? 如果您希望使 Vout 大于 Vin、最好使用升压转换器。
BR、
Jingyi
尊敬的 Dlmitri:
我明白了。 降压不是为电池充电的好选择。 您是否想考虑我们的电池充电器 IC? 电池充电器 IC |德州仪器 TI.com
BR、
Jingyi