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器件型号：BQ25750 主题中讨论的其他器件： BQ25756
工具/软件：
尊敬的 TI 团队：
我们目前正在使用 BQ25750进行开发、并在开关节点上观察到振铃。
下面是我们的测试条件：
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稳压器 ：350 kHz
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降压模式 ：VIN = 13.6V、VBAT = 10.95V
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升压模式 ：VBAT = 10.95V 至9.6V、VSYS = 12V
由于 PCB 尺寸限制、电感器和4个功率级 MOSFET (Q5–Q8)放置在不同的层(顶层和底层)上。
我们想知道这种层分离是否是导致我们看到振铃的主要因素。
我们尝试了添加缓冲电路(R = 2.2Ω、C = 100pF)、但改进最小。
您能否提供有关如何减少振铃的建议(例如、优化的缓冲器值、布局指南或栅极驱动调优)？
任何见解都将非常感谢。 谢谢！
此致、
Tom
