[参考译文] TPS23758：参考设计上输出 FET 的 VGS

admin

Guru**** 2331900 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS23758, CSD17308Q3

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1522980/tps23758-vgs-of-output-fet-on-reference-design

器件型号：TPS23758
主题： CSD17308Q3中讨论的其他器件

工具/软件：

您好：

再看一下我的 TPS23758设计和 EVK 设计的另一方面、我正在探测 Vgs 和 Vds 以确保其符合输出 FET 的规格。在将我的原始故障设计与 EVK 和我的新建议设计进行比较时、我发现 Vgs 有问题、似乎超出了规格：

器件	VGS	VDS	VDS 缓冲器	SRF	MOSFET	VGS 额定值	VDS 额定值
原稿故障	-28.8V 峰值	35V 峰值	无	10欧姆	TI CSD17308Q3	+/-20	30V
EVK	-26V 峰值	29V 峰值	1.3 Ω/2.2nF	100欧姆	TI CSD17579Q3	+10/-8	30V
建议的新内容	-25V 峰值	22.2V 峰值	1.3 Ω/10nF	50 Ω	TI CSD18543Q3	+/-20	60V

建议的30V MOSFET 的 Vgs 限制为+/-20V、尽管稳态电压为14V 左右、Vgs 开关边沿的电感尖峰似乎超出器件的规格。我认为我的原始设计有误、因为 MOSFET 会随着时间的推移而失效、我不知道 Vgs 或 Vds 是否超出规格、但我理想情况下希望两个电压都符合规格。

请注意、所有设计都具有适合的背对背12V 齐纳管用于 Vgs 钳位。

我的问题是：

该设计是否预计会出现该 Vgs 电压？ (似乎是这样、假设 EVK 具有以下值)
两个+/-20V TI FET 在 Vgs 上的此过压下是否正常？
是否可以向 Vgs 添加缓冲器电路来解决此问题？

这些是 TPS23758 EVK 设计上 Vgs 和 Vds 的示波器迹线以供参考。

谢谢！

马特

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2331900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Matt：

以 TPS23758EVM 中之前的 Q1和 T2变压器为例、

Q1的 VDS (OFF)= Vin/6 + Vout + Overshoot = 57/6 + 5 + Overshoot 使用57V 最大 Vin

Q1的 Vgs (off)=-57/6 +下冲

Q1的 Vgs (on)= 5 + 过冲

过冲/下冲主要来自漏电感和杂散电感。

[引述 userid="583396" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1522980/tps23758-vgs-of-output-fet-on-reference-design

该设计是否预计会出现该 Vgs 电压？ (似乎是这样、假设 EVK 具有以下值)
两个+/-20V TI FET 在 Vgs 上的此过压下是否正常？
是否可以向 Vgs 添加缓冲器电路来解决此问题？

[/报价]

1.您可以使用两个背对背12V 齐纳二极管来钳制 Vgs 电压

2.对于齐纳二极管, FET 应低于最大值

3.在栅极电路上使用缓冲器不太常见。您可以考虑以下循环电路中的0V 关断

此致、

DIAN

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TPS23758：参考设计上输出 FET 的 VGS