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[参考译文] LM51772：DRV1引脚：电荷泵驱动实现

admin
Guru**** 2398695 points
Other Parts Discussed in Thread: LM51772

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1521773/lm51772-drv1-pin-charge-pump-drive-implementation

器件型号：LM51772

工具/软件：

您好、

我将 LM51772配置为 I2C 模式、其中寄存器 MFR_SPECIFIC_D8 = 0x87、更具体地说、DRV1引脚(SEL_DRV1_SUP)的模式设置为0x3："0x3 = VCC2 (电荷泵驱动器)"。

降压/升压的输出旨在与一个高侧 N 沟道 MOSFET 连接/断开、其栅极由 DRV1引脚驱动。 由于目标电压可以在1.2V 和36V 之间摆动(由 I2C 设置)、因此根据评估板的参考设计、输出断开 FET 不能是 P 沟道、因为1.2V 输出不会满足 P 沟道的栅极阈值电压、且其栅极通过开漏选项(SEL_DRV1_SUP = 0x0)被拉至接地。

原理图

根据我的理解、电荷泵驱动器模式与正确的二极管和自举电容器配合使用、将能够提供高侧 N 沟道开关。 (？) 根据原理图以及二极管和电容器排列、DRV1上的开关将为电容器充电并启用输出 FET 的栅极、但仅在一小段时间内、直到电容器放电。 应如何使用处于电荷泵模式的 DRV1？ 因为原理图肯定有问题。

此致、

Alex

  • 0
    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Alex、

    感谢您使用 E2E 论坛。

    在 LM251772EVM-MOSFET PD 评估板中、 所示的是 DRV1引脚用于控制 C 通道 MOSFET 的实现方案。

    在这种情况下、目的是断开、以便来自输出端的电流不会流向功率级。

    原理图可在用户指南 LM251772降压/升压控制器评估模块用户指南中找到。

    我希望这有助于使您的设置符合您的要求。

    此致、

     Stefan

  • 0
    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Stefan：

    感谢您的反馈。 这正是我想要的。 (LM51772 EVM 电路板参考原理图仅具有 P 沟道 MOSFET 输出切换器。)

    此致、

    Alex