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器件型号：LM51772 工具/软件：
您好、
我将 LM51772配置为 I2C 模式、其中寄存器 MFR_SPECIFIC_D8 = 0x87、更具体地说、DRV1引脚(SEL_DRV1_SUP)的模式设置为0x3："0x3 = VCC2 (电荷泵驱动器)"。
降压/升压的输出旨在与一个高侧 N 沟道 MOSFET 连接/断开、其栅极由 DRV1引脚驱动。 由于目标电压可以在1.2V 和36V 之间摆动(由 I2C 设置)、因此根据评估板的参考设计、输出断开 FET 不能是 P 沟道、因为1.2V 输出不会满足 P 沟道的栅极阈值电压、且其栅极通过开漏选项(SEL_DRV1_SUP = 0x0)被拉至接地。
根据我的理解、电荷泵驱动器模式与正确的二极管和自举电容器配合使用、将能够提供高侧 N 沟道开关。 (？) 根据原理图以及二极管和电容器排列、DRV1上的开关将为电容器充电并启用输出 FET 的栅极、但仅在一小段时间内、直到电容器放电。 应如何使用处于电荷泵模式的 DRV1？ 因为原理图肯定有问题。
此致、
Alex
