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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1521162/tlv767-q1-would-like-to-enhance-thermal-dissipation-performance-by-optimizing-pcb-layout-design
工具/软件：
您好的团队、
我的客户希望通过优化 PCB 布局设计来提高 TLV767-Q1的散热性能。 是否有任何好材料可以解释如何优化 LDO 的 PCB 布局设计？
下面是我客户的用例。
输入电压：8V
输出电压：5V
输出电流：520mA
TA：75度或85度
此致、
山本俊介
你好、Yamamamamamamoto-San
以下应用手册讨论了对电路板布局布线对热性能的影响：
电路板布局布线对 LDO 热性能影响的经验分析：https://www.ti.com/lit/an/slvae85/slvae85.pdf
通常、使用更多连接到散热焊盘(在内部或外层)的接地覆铜有助于散热、尤其是顶层和底层在散热方面最有效、因为热量会将这些层留给环境空气。 本应用手册展示了 RθJA 可通过良好的布局降低多达50%、但请注意、在大多数应用中、没有足够的布板空间来提供足够的铜来实现这一点。 在本客户的应用中、导通 FET 中耗散了1.56W 功率、如果电路板布局与 JEDEC High-k 电路板布局类似、则最大结温为85C + 1.56W * 51.9C/W = 166C。 因此、为了将结温保持在150°C 以下、他们需要相对于高 k 电路板布局布线将 RθJA 提高至少20%。 这是可行的、但前提是它们具有足够的布板空间和内部接地层来散发热量。
Nick
您好、Nick、
非常感谢您向我发送材料。 这是我想要的!
Unknown 说：这是可行的、但前提是它们具有足够的布板空间和内部接地层来散发热量。 [/报价] 我同意你的说法。 我的客户需要考虑其他元件的放置位置。 我对 Tj 和 TSD (shutdown)有疑问。 根据我的理解、如果温度超过 Tj、IC 会损坏、IC 无法正常工作。 但 TSD (shutdown)高于 Tj。 由于 TSD 超过 Tj、该器件是否可以超过 Tj？ 如何了解 TSD (shutdown)？ 此致、 山本俊介
我同意你的说法。 我的客户需要考虑其他元件的放置位置。
我对 Tj 和 TSD (shutdown)有疑问。 根据我的理解、如果温度超过 Tj、IC 会损坏、IC 无法正常工作。 但 TSD (shutdown)高于 Tj。 由于 TSD 超过 Tj、该器件是否可以超过 Tj？ 如何了解 TSD (shutdown)？
您的理解不正确。 Tj 最高150°C 的建议结温范围是器件正常工作所需的范围。 如果结温超过150C、则器件不会损坏、如果结温达到180C (典型值)的 TSD 温度、则会激活热关断并关闭通道、以防止进一步发热。 然后、通道保持闭合状态、直到结温稳定至160C (典型值)、此时通道会再次打开。 如前所述、该器件不能定期在150°C 以上使用、热关断仅用于防止器件因短期热过载而损坏。
