工具/软件:
您好、我们使用的是 BQ25622ERYKR 为电池充电。 我们已经在定制电路板上测试了辐射发射、结果准确无误 失败 报告附于下文。
您可以查看这些报告、并告诉我们 PCB 的原因 不符合要求 指定 开始平稳过渡 中波段频率(333 MHz、381 MHz)下?
在器件导通条件下读数低于范围。
期待您的答复。
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您好、我们使用的是 BQ25622ERYKR 为电池充电。 我们已经在定制电路板上测试了辐射发射、结果准确无误 失败 报告附于下文。
您可以查看这些报告、并告诉我们 PCB 的原因 不符合要求 指定 开始平稳过渡 中波段频率(333 MHz、381 MHz)下?
在器件导通条件下读数低于范围。
期待您的答复。
您好 Hitesh、
感谢您通过 E2E 联系我们。 您是否在定制电路板设计中使用任何 EMI 抑制技术? 以下是我们建议您在尚未实施时尝试的几个选项。
1)在 PMID、SYS、VBUS (可选)和 BAT (可选)处添加一个1nF 电容器。 目的是添加该高频电容器以将高频噪声返回到 GND。
2)在 SW 引脚与 GND 之间添加缓冲器电路(电阻器和电容器)。 使用 R = 1 Ω 和 C = 15nF 作为参考、但 TI 建议尝试几种不同的组合、以在您的定制 PCB 设计中获得最佳结果。
3)在 BTST 引脚和 SW 引脚之间添加与 BTST 电容器串联的电阻器(0 Ω 至5 Ω 范围内)。 目的是降低开关压摆率。 我们不建议使用高于5欧姆的电阻值、因为这会对转换器效率产生不利影响。
此致、
Garrett