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器件型号：CSD87503Q3E 工具/软件：
您好、John Wallace：
请先回答一般的 MOSFET 问题。
MOSFET 在关闭时泄漏-主要是由于体二极管造成的。
但 MOSFET 在导通时是否也会增加漏电流？
自然、当导通时、会有100毫欧的 RDS (on)。 在我所讨论的低电流下、漏极和源极之间的压降将非常小。 这可能会防止/减少泄漏。 但这样一来、无论如何都可能存在漏电流。
我的应用是使用 MOSFET 作为开关。 两个常见的源极 N 沟道 MOSFET 构成了双极开关(标准方法)。 可将应用视为电流测量值或拉电流/灌电流。 我使用 MOSFET 切换检测电阻(1R-1A、10R -100mA、100R -10mA、1K -1mA、10K-100uA) 100K-10uA、1uA 和10M-100nA)。
处理泄漏的方法的模拟看起来很有前景。 那么它只是知道是否存在导通泄漏吗？
谢谢
彼得·巴克斯特
