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我尝试使用 BQ25896芯片在0.5C 下为4000 mA 3.85V 最大4.4V 电池充电、这需要2A。 我们在 VBUS 上提供12V 电压。 我为此配置了 EVM 套件、可以正常工作。 BQ25896会变热、但不会变热。 我在我们设计的 PCBA 上运行相同的寄存器设置、芯片在大约1/2Hz 周期时间内消耗电流和关闭之间振荡、这可以通过监测电源消耗的电流来观察到。 以下是寄存器的配置方式：
REG00=1C HiZ=0 ILIM=0 INLIM=1500mA REG01=06 BHOT=0 BCOLD=0 VINDPM=600mV REG02=51 REG03=1A CHGEN=1 REG04=1F PUMPX=0 ICHG=1984mA REG05=33 IPRE=256mA ITERM=256mA REG06=8F VREG=4400mV BATLOWV=1 VRECHG=1 REG07=9D REG08=03 REG09=44 REG0A=73 REG0B=46 VBUS_STAT=2 CHG_ST=None PG=1 VSYS=0 REG0C=20 WD=0 BST=0 CHG=2 BAT=0 NTC=0 (faults) REG0D=53 REG0E=56 THERM=0 BATV=4024mV REG0F=5F SYSV=4204mV REG10=51 TSPCT=58.665% Temp=25.383C REG11=DF VBUS=1 VBUSV=12100mV REG12=00 ICHGR=0mA REG13=10 REG14=06
您可以从寄存器0C 中看到我遇到了热关断充电故障。 在相同配置下、IC 在 EVM 板上的运行温度约为95F、在电路板上的运行温度超过120F、因此它肯定与散热有关。 我想输入一些接线差异、看看它们是否会导致这种情况：
以下行是悬空的。 这似乎不会导致问题、但可能会：
QON： 很确定这不会导致这种情况、因为 EVM 在开关上有这个问题、并且文档说在内部拉至高电平。
ILIM：保持悬空。 在 REG00中将 EN_ILIM 设置为0。 这是否需要与某种东西联系起来？
PG：似乎这是一个集电极开路输出、但数据表提到了 使用10K 电源轨上拉。 是否需要这样做？
int：与上面相同。 似乎不需要这样。
OTG：保持悬空。 寄存器中的 OTG_CONFIG 设置为0。 这是否需要接地？
如果不是接线问题、我认为这可能是布局问题。 我们使用了 DigiKey 的封装、该封装在器件下方有5个散热孔。 EVM 套件有9个(其中4个是在创建占用空间后添加的)。 是否发现过热问题)？ 我们还在2层电路板上构建此评估板、在电路板背面的覆铜要小得多。 这是造成这种情况的原因吗？ 我可以去4层,如果这是需要的,但没有人指定这...
只有其他可能性是组装错误。 我们有一个值得信赖的汇编器将其汇编在一起。 脱焊芯片显示出一些覆盖不完整的迹象、但这是否足以导致这种情况？
感谢您的帮助？ 此时我们需要构建第二个原型运行、但我讨厌这样做、只是猜测正确的解决方案是什么...
