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主题中讨论的其他器件：TPS2373、TPS2373-4EVM-758 、TPS2372-3EVM-757 、TPS2372-4EVM-006 工具/软件：
我们一直在开发高功率 PoE 设计、并研究了 TPS2373 的所有 3 个评估套件。 每个前端都略有不同、每个前端都有各自的效率优势。
TPS2373-4EVM-758 — 分立式全桥理想二极管 FET。 与仅二极管电桥相比、效率更高。
TPS2372-3EVM-757 — 仅在低侧和高侧使用理想二极管 FET 的分立式全桥。 效率适中
TPS2372-4EVM-006 — 使用桥式理想二极管芯片。 效率适中。
我们实现了自己的 4EVM-758 降压版本、在所有 FET 的栅极上都没有 BJT。 我们还仅仅构建了一个“半“版本、在这个版本中我们不用担心输入电压极性反转。 遗憾的是、如果输出上存在预偏置负载、则会出现一些反馈问题。 这可能是由于我们的一半版本、所以我们理解这一点。
我们需要注意的是、当我们在这些电路之后对前端进行建模时、为什么 4EVM-758 和 4EVM-006 在栅极驱动电路中使用 BJT、而不是 FET？
我们是否可以使用小信号 FET 代替各种 BJT？
当用 FDMQ8205A 替换电桥时、我们能否用 FET 替换控制 BJT？
谢谢
