[参考译文] LMG2640：LMG2640、LMG2652 和放大器；LMG2650 的功率损耗计算

您好 Jan、

对于 Matlab 计算器、有一个标题为“如何运行“的文本文件、其中列出了运行计算器的几种不同方法。
如果您仍然无法运行、您可以使用免费的在线版 Matlab、它没有显示任何问题： https://www.mathworks.com/products/matlab-online.html 

我们在 TI.com 上还有其他基于 Excel 的计算器、例如图腾柱 PFC 计算器： 链接

计算 GaN 功率损耗的方法与硅和 SiC 等其他 FET 非常相似、许多通用论文可在此处提供详细信息。
我们的一些较新的器件数据表（如第 8.2.2.4 节“功率耗散“中的 LMG2100R044）  中提供了一些高级指导

此处的导通损耗和开关损耗也可适用于高压 GaN FET。
必须注意的一点与栅极驱动损耗有关。 TI GaN FET 包含集成式栅极驱动器、保护功能和高级特性、这意味着栅极驱动损耗必须不仅仅包含 GaN FET 栅极电荷。
该器件应视为 IC、其中 VDD 电源包括所有栅极驱动损耗和其他特性。 每个数据表都有一个 VDD 电源电流与开关频率间的关系图、因此您可以计算系统正在运行的任何工作频率下的 VDD 功率  

谢谢、
Zach S