[参考译文] TLV809E：在连接到负载时、TLV809E 始终驱动为低电平。

您好 Shiyamsundar、

在继续之前、我需要更多信息。

当您说 TLV809E 的功耗变低时、在哪里可以从中读取这个低值？

当您提到器件与 MOSFET 隔离时、MOSFET 是被移除的、还是器件存在其他隔离方式？

如果 TLV809E 与另一个 TLV809E 交换、是否会观察到相同的行为？

如果 N-MOSFET 与另一个 N-MOSFET 交换、是否观察到相同的行为？

此致、

Anusha

通过移除 R400、TLV809E 与负载隔离。  

然后、我们将从 TLV 芯片接收正确的响应

1.高 (12V 时为 2.8V)

2、低电平（低于 2.54V）

>如果我们组装 R400、则 TLV809E 芯片始终处于 0V 位置。

>我们观察了几次脉冲输出 、如下图所示。

探测 U21.2 引脚。

NMOS 和 TLV809E、两者都可以通过移除 R400 单独正常工作。

当我们连接带负载的 TLV 时、观察始终处于低电平、即使在恒定的 12V 下也是如此。