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器件型号：TPS74801 工具/软件：
尊敬的 E2E 论坛：
在我们的设计中、我们使用 TPS74801 IC 来实现 SD 卡电源用途。 根据数据表、R PULLDOWN 值为 833 Ω、外部负载电容为 10uF + 0.1uF、约为 10.1uF
按照上面的公式计算时间常数、我们需要考虑与 833 Ω 并联的 RL 电阻、但在本例中 RL 不是恒定负载电阻。 在读取或写入条件下、其功耗将约为 140mA 到 150mA。 San 磁盘 SD 卡数据表提到的最大电流消耗可达 800mA。 在这种情况下、RL 是固定的、因为下降时间变化很大、但我们需要快速放电功能。 因此、您是否可以建议使用任何其他具有较小内部下拉电阻值的 LDO IC。 我们的预期放电时间应小于或等于 550us、因此、如果内部电阻值较小、则意味着我们无需依赖 RL。 由于 RL 与内部下拉电阻并联、因此等效电阻将小于最小值。 但我们未找到任何具有较小下拉电阻值的 LDO。 建议使用 LDO。
