[参考译文] TPS23751：评估用于 10G 基本应用的 TPS23751

我已经更换了 749022016 变压器、并且 10G 基础网络已成功验证可正常工作、但仅在未连接 PD 电路的情况下才可正常工作。 之前、当我们添加自己的 PD 电路时、始终会发生通信错误。 因此、我们正在寻找一种即用型 PD 电路设计、该设计具有成熟的经验、可可靠地与 10G 基础网络配合使用。

您好 Jacky、  

您能分享原理图和数据变压器数据表吗？ 这可能是引脚连接问题。 一个常见的缺失是数据变压器的 CM 扼流圈通常位于仅数据侧、而不是 PoE +数据侧。

BES 此致、

DIAN

变压器规格和电路如下

您好 Jacky、

感谢您提供的文档。  

您共享的变压器是反激式变压器。 数据速率与靠近 RJ45 端口的数据变压器相关、如下所示。 您能分享一下吗？

此致、

DIAN

数据变压器的数据表和电路如下。

数据表： www.appselectronics.com/.../download.php

变压器的左侧是 PHY、右侧是 RJ45。 由于 PoE 电源始终来自 RJ45 侧、因此必须在右侧连接 PD。 如果连接在左侧、则来自 PoE 的直流电源将被变压器隔离、因此无法提供任何电源。

您好 Jacky、

感谢您的答复。

在大多数情况下（90%或更高）、PoE 侧的数据变压器 不带 CM 扼流圈、如 TPS23751EVM-104 EVM 图所示。 我建议您与您的数据转换器供应商再次确认。 如果 错误、您可以考虑对数据变压器进行反转、以使数据侧的 CM 阻抗受到影响、或者可能不会影响数据速度。   

此致、

DIAN  

我们之前尝试过反转变压器、但没有任何帮助。

您好 Jacky、  

感谢您的信息。  如果数据变压器 不会导致该问题、您可以检查 RJ45 端接和 PD 输入电路的布局。 检查列表如下所示。

此外、 您是否发现数据问题与电源负载有关？ 在 0%和 100%负载下、行为是否相同？   

我已经更换了 749022016 变压器、并且 10G 基础网络已成功验证可以正常工作、但仅在未连接 PD 电路的情况下才可以正常工作。 之前、当我们添加自己的 PD 电路时、始终会发生通信错误。 [/报价]

输入段
接地层	负电压	至少有一层专门接地。 一层中任何未使用的空间都应用接地平面填充。 多个接地层/平面应通过过孔固定在一起。 确保列出的每个接地平面不重叠：例如、顶层的次级接地不应交叉到底层的初级接地空间。	机箱 GND、VSS_PSE、PGND 和 GND_D 不重叠
	短路状态
	VSS
	Bob-Smith/接地（可选）
输入相关元件	物理层	会聚到 RJ-45 输入连接器。 将 BS 平面视为虚拟接地或真实接地连接、并使用它来创建顶层和底层。 这些迹线不应过大--尽量保持连接短 环绕输入相关电路的接地平面。 保持介于之间的 0.060 英寸高电压间距 BS 平面和所有其他电路。	BS 平面与其他电路之间的距离< 0.06“
	Bob-Smith 端接
	但要少得多
输入整流桥		尽可能保持紧密。 通过使用紧密间距尽量减少平面。 但是、该部分包括电源路径、因此电源路径需要平面、并且无源器件可以使用小布线	电源路径使用平面和无源器件、并使用宽短布线进行连接
输入 EMI 滤波器	铁氧体磁珠	确保共模扼流圈或铁氧体磁珠下方没有覆铜。	L1 上的共模扼流圈、铁氧体磁珠位于 L12 上。 铁氧体磁珠或共模焦炭下方无铜
	EMI 扼流圈
	接地端

此致、

DIAN

我已经确认问题在重负载下发生、但我不确定重负载实际会导致哪些具体影响。

您好 Jacky、  

感谢您的答复。 可能是 TPS23751 生成的 EMI。 您是否测试过电路板的 EMI？ 由于 CM 电流更高并且更容易使扼流圈饱和、因此如果位于 PoE 侧、数据变压器中的 CM 扼流圈也会更差。  

此致、

DIAN

为了防止饱和、我们应该更改电感值还是检测电流？

您好 Jacky、  

当 CM 电流超过额定值时、CM 扼流圈可能会饱和。 由于 PoE 电流是导线中的 CM 电流、因此当负载增加时、CM 扼流圈可能会超过其额定值。

此致、

DIAN

那么、CM 扼流圈会达到饱和？ 我们如何才能确认这一点？

您好 Jacky、

您需要联系数据变压器供应商。 假设您的 PD 为 2 线对、即 25.5W 引脚和 42.5V。  确保数据变压器内的每个 CM 扼流圈不会在 25.5W/42.5V = 0.6A 时达到饱和。

此致、

DIAN

电流应该基于平均值还是峰值（瞬时）值？

您好 Jacky、

开关损耗与峰值电流有关、导通损耗与硬开关反激式的均方根电流有关。 对于 4 类、此 FET 通常为 150V、50m Ω 至 150m Ω 额定电压、通常~80m Ω、用于优化。  

此致、

DIAN