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[参考译文] TPS23751:评估用于 10G 基本应用的 TPS23751

Guru**** 2344780 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23751, PMP11254, TPS23751EVM-104
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1521853/tps23751-evaluation-of-tps23751-for-use-in-10g-base-applications

器件型号:TPS23751
主题中讨论的其他部件:PMP11254、、

工具/软件:

我想复制 PMP11254 参考设计中的 TPS23751 电路、并将其应用于 10G 基础网络环境。 但是、由于原始参考设计是针对 1G Base 网络的、我想问一下在 10G Base 应用中使用它时、我应该注意哪些其他注意事项或潜在问题?

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    您好 Jacky、

    感谢您联系我们!

    很抱歉、PoE 主要关注电源方面。 数据速度主要与数据变压器有关。 在 PMP11254 中、 749022016 适用。 如果它无法满足 10G 基础网络、请考虑另一个具有相同 25.5W 能力的网络。 您可以咨询以太网 PHY 专家。

    此致、

    DIAN

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    我已经更换了 749022016 变压器、并且 10G 基础网络已成功验证可正常工作、但仅在未连接 PD 电路的情况下才可正常工作。 之前、当我们添加自己的 PD 电路时、始终会发生通信错误。 因此、我们正在寻找一种即用型 PD 电路设计、该设计具有成熟的经验、可可靠地与 10G 基础网络配合使用。

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    您好 Jacky、  

    您能分享原理图和数据变压器数据表吗? 这可能是引脚连接问题。 一个常见的缺失是数据变压器的 CM 扼流圈通常位于仅数据侧、而不是 PoE +数据侧。

    BES 此致、

    DIAN

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    变压器规格和电路如下

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    您好 Jacky、

    感谢您提供的文档。  

    您共享的变压器是反激式变压器。 数据速率与靠近 RJ45 端口的数据变压器相关、如下所示。 您能分享一下吗?

    此致、

    DIAN

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    数据变压器的数据表和电路如下。

    数据表: www.appselectronics.com/.../download.php

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    您好 Jacky、

    这可能是我提到的问题。 请检查 PoE+数据侧、数据只能修改

    一个常见的缺失是数据变压器的 CM 扼流圈通常位于仅数据侧、而不是 PoE +数据侧。

    此致、

    DIAN

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    变压器的左侧是 PHY、右侧是 RJ45。 由于 PoE 电源始终来自 RJ45 侧、因此必须在右侧连接 PD。 如果连接在左侧、则来自 PoE 的直流电源将被变压器隔离、因此无法提供任何电源。

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    您好 Jacky、

    感谢您的答复。

    在大多数情况下(90%或更高)、PoE 侧的数据变压器 不带 CM 扼流圈、如 TPS23751EVM-104 EVM 图所示。 我建议您与您的数据转换器供应商再次确认。 如果 错误、您可以考虑对数据变压器进行反转、以使数据侧的 CM 阻抗受到影响、或者可能不会影响数据速度。   

    此致、

    DIAN  

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    我们之前尝试过反转变压器、但没有任何帮助。

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    您好 Jacky、  

    感谢您的信息。  如果数据变压器 不会导致该问题、您可以检查 RJ45 端接和 PD 输入电路的布局。 检查列表如下所示。

    此外、 您是否发现数据问题与电源负载有关? 在 0%和 100%负载下、行为是否相同?   

    我已经更换了 749022016 变压器、并且 10G 基础网络已成功验证可以正常工作、但仅在未连接 PD 电路的情况下才可以正常工作。 之前、当我们添加自己的 PD 电路时、始终会发生通信错误。 [/报价]

    输入段      
    接地层 负电压 至少有一层专门接地。 一层中任何未使用的空间都应用接地平面填充。 多个接地层/平面应通过过孔固定在一起。 确保列出的每个接地平面不重叠:例如、顶层的次级接地不应交叉到底层的初级接地空间。   机箱 GND、VSS_PSE、PGND 和 GND_D 不重叠
    短路状态
    VSS
    Bob-Smith/接地(可选)
    输入相关元件 物理层 会聚到 RJ-45 输入连接器。 将 BS 平面视为虚拟接地或真实接地连接、并使用它来创建顶层和底层。 这些迹线不应过大--尽量保持连接短
    环绕输入相关电路的接地平面。 保持介于之间的 0.060 英寸高电压间距
    BS 平面和所有其他电路。
    BS 平面与其他电路之间的距离< 0.06“
    Bob-Smith 端接
    但要少得多
    输入整流桥   尽可能保持紧密。 通过使用紧密间距尽量减少平面。 但是、该部分包括电源路径、因此电源路径需要平面、并且无源器件可以使用小布线 电源路径使用平面和无源器件、并使用宽短布线进行连接
    输入 EMI 滤波器 铁氧体磁珠 确保共模扼流圈或铁氧体磁珠下方没有覆铜。   L1 上的共模扼流圈、铁氧体磁珠位于 L12 上。 铁氧体磁珠或共模焦炭下方无铜
    EMI 扼流圈
    接地端

    此致、

    DIAN

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    我已经确认问题在重负载下发生、但我不确定重负载实际会导致哪些具体影响。

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    您好 Jacky、  

    感谢您的答复。 可能是 TPS23751 生成的 EMI。 您是否测试过电路板的 EMI? 由于 CM 电流更高并且更容易使扼流圈饱和、因此如果位于 PoE 侧、数据变压器中的 CM 扼流圈也会更差。  

    此致、

    DIAN

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    为了防止饱和、我们应该更改电感值还是检测电流?

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    您好 Jacky、  

    当 CM 电流超过额定值时、CM 扼流圈可能会饱和。 由于 PoE 电流是导线中的 CM 电流、因此当负载增加时、CM 扼流圈可能会超过其额定值。

    此致、

    DIAN

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    那么、CM 扼流圈会达到饱和? 我们如何才能确认这一点?

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    您好 Jacky、

    您需要联系数据变压器供应商。 假设您的 PD 为 2 线对、即 25.5W 引脚和 42.5V。  确保数据变压器内的每个 CM 扼流圈不会在 25.5W/42.5V = 0.6A 时达到饱和。

    此致、

    DIAN

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    电流应该基于平均值还是峰值(瞬时)值?

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    您好 Jacky、

    开关损耗与峰值电流有关、导通损耗与硬开关反激式的均方根电流有关。 对于 4 类、此 FET 通常为 150V、50m Ω 至 150m Ω 额定电压、通常~80m Ω、用于优化。  

    此致、

    DIAN  

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    我们现在将关闭此问题、然后继续新的 PCB 修订版本以再次进行验证。