Thread 中讨论的其他器件: UCC28781、 LM5023、UCC28600、 UCC2801、UCC28630
工具/软件:
我计划根据制作 200W SMPS QR 反激式拓扑 SiC MOSFET 的辅助电源拓扑。
那么、您能否帮助我了解我在发展过程中将面临的挑战?
我选择了用于 SIC MOSFET 开关的 QR PWM 控制器 IC UCC28C54 “这是你的房子吗?“
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工具/软件:
我计划根据制作 200W SMPS QR 反激式拓扑 SiC MOSFET 的辅助电源拓扑。
那么、您能否帮助我了解我在发展过程中将面临的挑战?
我选择了用于 SIC MOSFET 开关的 QR PWM 控制器 IC UCC28C54 “这是你的房子吗?“
您好、
看起来挑战是 7 个多个绕组 — 由于与漏电感耦合,很难将每个绕组交叉调节到目标输出电压。 如果需要严格的 Vox 调节、您可能需要在每个输出中添加 LDO 等后置稳压器。
另外、请注意、200V 至 1000V、当电压设计为 1000V 时、很难实现 QR。 在较高的电压下可能不会获得 QR。 您可以考虑使用 UCC28650 支持 CCM 和 QR。 没有良好的控制器来执行 200V 至 1000V QR。
UCC2801 不是 QR 控制器。
我不熟悉、您需要在 E2E 上创建一个新主题来询问 SiC MOSFET 驱动器。 或者、您可以要求 SiC MOSFET 供应商推荐相应的驱动器。
您好、
抱歉,一个拼写错误 — 它是 ucc28630。
QR 表示第一个谷底开关导通、因此当 FSW 如此低而不受器件的限制时、FSW 是可变的、然后进入 CCM、以便无法进行 QR。
当 fsw 变得过高时、也受到 IC 的限制、然后不会在第一个谷底、而是在第二个谷底、从而最终不进行谷底开关。
如果您设计的 QR 为 200V、则它可能大于 500V 无谷底、因此没有 QR。
如果您将 QR 设计为 500V、则 CCM 可能小于 300V、DCM 可能大于 800V。
没有变压器设计工具。
建议您阅读 UCC28600 数据表以帮助您了解 QR。