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[参考译文] BQ78350:固件更新问题:校准、放电 FET、OC、COV

Guru**** 2361250 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76940, BQ78350, BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1530448/bq78350-firmware-update-issues-calibration-discharge-fet-oc-cov

器件型号:BQ78350
主题中讨论的其他器件:BQ76940BQSTUDIO

工具/软件:

我的 BQ78350/BQ76940 BMS 设计无法正常睡眠、bq studio 说它正在睡眠、但电流消耗与未睡眠时相同。  它当前具有固件 R1.03、当我刷写 R3.00 时、睡眠功能按预期工作、电流消耗大约下降 5.5 倍。  更新时遇到的一个问题是校准数据会泄露、当我尝试重新校准时、充电电流会出现波动。  电流寄存器将准确读取、但在未插入电池的情况下、充电电流寄存器将读取 3520ma。  我还看到了错误的行为、例如 DSG FET 直到打开、以及密封/解封和复位 BMS、OC 和 COV 寄存器似乎也会在不超过任何安全参数的情况下错误触发。  导致这种情况的原因是 R1.03 到 R3.00 之间是否有重要变化?  是否需要对数据存储器值进行唯一的更新?

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    您可以在更改固件版本之前从电量计中读取校准数据、然后在更改后对其进行编程。  

    使用 OC 和 COV 触发器以及 DSG FET 行为观察到这种情况并不正常。 请确保使用正确的配置对测量仪表进行了编程。

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    重新校准 BMS 似乎解决了 OC 和 COV 触发器。  我也找到了充电电流问题。  充电电流是高级充电算法中基于环境温度的目标电流、而不是实际的有效充电电流读数。  遗憾的是、我无法手动输入 CC 增益。  正确的读数为~0.5m Ω、但 bq studio 不接受低于 1.0m Ω 的值、但如果我连接负载并使用校准工具、它将计算和写入正确的 0.5m Ω 值、BMS 电流读数与充电器和放电器的电流读数相匹配。  I 可以手动写入低于 1.0m Ω 的容量增益值。  重新刷写参数文件后、DSG CHG FET 似乎正常工作、因此可能从配置文件中初始导入的内容没有正确写入所有参数。

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    我有一个包含校准数据的数据闪存文件、但导入该文件并将其写入芯片时、不会写入校准数据的前~一半(请参阅下表)、我必须手动输入它并接受 CC Gain、它不接受低于 1.0 的值。  是否有相应的解决方法?  我需要升级许多芯片的 FW、并且不想手动键入每个芯片的所有校准数据。

    *字段顺序:类名  子类名称  参数名称
    减少 余弦值 CC 增益
    减少 余弦值 容量增益
    减少 输出代码 Cell1 偏移
    减少 输出代码 CELL2 偏移
    减少 输出代码 CELL3 偏移
    减少 输出代码 电芯 4 偏移
    减少 输出代码 电芯 5 偏移
    减少 输出代码 电芯 6 偏移
    减少 输出代码 电芯 7 偏移
    减少 输出代码 电芯 8 偏移
    减少 输出代码 电芯 9 偏移
    减少 输出代码 电芯 10 偏移
    减少 输出代码 电芯 11 偏移
    减少 输出代码 电芯 12 偏移
    减少 输出代码 电芯 13 偏移
    减少 输出代码 电芯 14 偏移
    减少 输出代码 电芯 15 偏移
    减少 电流失调 CC Offset
    减少 电流失调 库仑计失调取样数
    减少 误差幅度 T1 温度偏移
    减少 误差幅度 T2 温度偏移
    减少 误差幅度 T3 温度偏移
    减少 误差幅度 测量仪表内部温度偏移
    减少 外部电芯电压 外部电芯分频器增益
    减少 VAUX 电压 VAUX 增益
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    bqStudio 不会写入 gg 文件中值超出最小值/最大值的所有值 您必须改用.srec 文件。 是否说.srec 文件没有校准值?

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    bqStudio 不会写入 gg 文件中值超出最小值/最大值的所有值 您必须改用.srec 文件。 是否说.srec 文件没有校准值?