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器件型号：LM5122ZA 工具/软件：
尊敬的 E2E 支持团队：
我已经使用 LM5122ZA IC 设计了一个升压转换器电路。 该转换器配置为采用 48V 输入并在 10A 电流下提供 90V 输出、运行开关频率为 517.24kHz。
在转换器的隔离式测试期间、我遇到了低侧 MOSFET 的重复故障、特别是每次都发现栅极对地短路。 每次出现故障后、我都更换了组件、但问题仍然存在。
高侧和低侧 FET 均为 STMicroelectronics STP19NF20（N 沟道、15A、200V、TO-220 封装）。
为了减轻启动期间高浪涌电流造成的潜在损害、我将软启动电容器 (Css) 增加至 68nF。 此调整提高了在 60V 和 70V 输出下的稳定性（通过改变反馈电阻网络来实现）。 但是、当配置为 80V 至 90V 输出时、低侧 FET 始终出现故障。
您能否说明这是否是由于 FET 选择不当造成的、或者是否有具体参数需要我重新评估？
感谢您的支持。
此致、
Cynthia
在升压转换器启动期间捕获了以下示波器迹线、该转换器设置为提供 76V 的 Vout。
而 CH1：低侧 FET 的栅极
Ch2：Vout
CH3：SW
CH4：输入电流（来自电源，电流限制设置为 15A）
