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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1532825/bq25756-using-gan-fet
工具/软件：
您好、
我们可以将 GaN FET“IGC033S10S1XTMA1"用于“用于主 MOSFET 吗？
我们在使用电流 MOSFET (GT010N10TL) 进行热管理方面困难重重。
GaN FET 与 BQ25756 不兼容。
我相信 GT010N10TL 也不能与 BQ25756 配合使用。 在“9.2.1.2.8 功率 MOSFET 选择“部分中、数据表说明：
GT010N10TL 的 Coss 为 4220 pF、非常高。 我想深入了解 MOSFET 的选型、以帮助找到一款适合您应用的 MOSFET。
此致、 Michael Bradbourne
您好、 Michael：
感谢您的反馈。
以下是答案：
1、输入电压和电流是多少?
太阳能电池板：50V 10A 电池：24V（或 48V）15A
2、输出电压和电流是多少?
LED 灯：48V 10A
3.波形
目前、我们的所有原型都已损坏、我们将尝试找出并查看是否可以提取波形。
您使用的封装在整个电路板上似乎具有相当高的 Coss。 如果这确实是 MOSFET 发热的原因、我可能需要推荐采用不同封装尺寸的 MOSFET。 这会是个问题吗？
我发现 IAUT165N08S5N029 MOSFET 的 Coss 为 790 pF、我认为占用空间是相同的。 这种方法的效果可能会更好一些、但该电容仍然相当高。 如果封装无法改变、则可能值得进行测试。
如果您无法提供波形、那就没什么大不了的了。 我只是想确认我对 Coss 值的怀疑是否准确。
此致、 Michael
