[参考译文] BQ25756：充电时的 MOSFET 短路

您好、Michael：

感谢您的答复！ 我是负责该客户的 FAE。 客户更改了 EVM 电路板上自己电路板上的肖特基二极管。 但问题仍然存在。 我捕获了 SW 波形。 它看起来正常。 我还测试了 Gate 波形、但没有捕捉到它、然后 Mos 被烧毁。 我们的 MOS 和客户的唯一区别是客户的 MOSFET 是 10mR RDS ON。 您认为这可能是个问题吗？  

BR、

家气

尊敬的 Jiaqi：

感谢您的参与。 我不认为 10m Ω 的 Rdson 问题会导致 1.2A 时的高温。哪个 MOSFET 正在烧毁？

此致、
Michael

您好、Michael：

该器件在升压模式下工作、可将 48V 转换为 54V 电池。 通常、所有四个 MOSFET 都被烧毁。  

BR、

家气

尊敬的 Jiaqi：

我有几个我想尝试的测试：

• 输入和输出电流波形是什么样子的？
• HIDRV1/HIDRV2 和 LODRV1/LODRV2 波形看起来是什么样子的？ 如果可能、我想在同一张图上看到它们。
• 您能否将该操作期间器件的寄存器读数发送给我？
• 当您使用 I2C 设置 EN_CONV_FAST_TRANSIENT = 0 时会发生什么情况？ 这有助于处理类似的情况。
• 将电路板上的电感器更改为其他电感器或将电感器从 EVM 更改为其他电感器是否会改变行为？

此致、
Michael

尊敬的 Jiaqi：

我们是否有关于 MOSFET 短路的任何更新？

此致、
Michael

您好、Michael：

我让客户给我发送一个 PCB 板进行测试。 我尝试测试栅极驱动器引脚的波形。 看起来不错、但在我进行屏幕截图之前 MOSFET 很短。 我将在 TI 实验室进行一些测试。 我还发现另一个问题可能是一个问题。 客户使用 2 个串联电源作为 48V 电源。 一个是 36V、另一个是 12V。 很难同时关闭电源。 我将使用单电源进行测试。

BR、

家气

您好、Michael：

我方面还有两个问题。 一种是客户使用手动绕组电感器。 这有道理吗？ 另一种是我发现、该器件在没有 IIC 控制的情况下正常工作、但只有输出电压不稳定。 但如果我将 EV2400 连接到客户的电路板上、 器件可能会损坏。 我仅连接 SDA/SCL 和 GND 线。  

BR、

家气

尊敬的 Jiaqi：

最终设计中是否会使用手动绕组电感器？ 它是否满足最小/最大电感和 DCR 要求？ 我们是否知道电感器的参数？ 如果我们不知道这些参数、请查看使用 EVM 中的电感器时电路板行为是否有所改善。 此外、由于这是手动绕组电感器、我们是否可以测量电感器电流波形？ 这应该提供一些有用的信息。

输出电压不稳定是什么意思？ 请提供波形。 您使用什么作为输出负载？

用于控制的 IIC 设置是什么？  写入 IIC 命令后或插入 EV2400 后、MOSFET 是否短路？

此致、
Michael

您好、Michael：

由于客户的样品用完、我仍然需要一些时间来测试波形。 我申请了一些新的。 输出电压的范围为 53V 至 54V、并且在我禁用看门狗并启用 CHG 时保持稳定。 有时、写入 IIC 命令后会损坏 MOSFET。  

BR、

家气

尊敬的 Jiaqi：

感谢您的更新。 新样片放入后、请告诉我。

此致、
Michael