This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM74930-Q1:LM74930

Guru**** 2374150 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74930-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1534040/lm74930-q1-lm74930

器件型号:LM74930-Q1
主题中讨论的其他器件:LM74930

工具/软件:

Hallo Shiven,

现在已经过去一段时间了、我有时间继续应对 LM74930 挑战。

我发现了为什么电流限制始终响应的错误。 如果我们现在能够为 LM74930 提供更多的 H 栅极 MOSFET 控制功率、那会非常棒。

在我们的应用中、我们希望使用 IC 在 28V 时切换 40A 左右的电流、并通过非常慢的 PWM 控制电源。 对于两个 MOSFET、每个 MOSFET 具有 11000pF 的输入电容和 55µA 浪涌电流、开通时间太慢了。 我永久违反了 SOA 参数。

如何增加浪涌电流? 是否有带有外部驱动器模块的电路型号? 由于 MOSFET 需要高电流和低功耗、因此我必须使用具有低 Rds-on 的 MOSFET。

你有什么办法可以帮我解决吗? 为了使我能够更快地导通、我已经移除了 HGATE MOSFET 栅极处的 RC 元件、但这还不够!

此致

Andreas

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andreas:  

    是否也可以使用 LM74910? 基本上是共漏极拓扑。 我们可以通过一些变通方法来适应更强的 HGATE 驱动。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shiven、

    非常感谢您提出的新 IC 建议、该建议甚至几乎与引脚兼容。 这个新元件是否也可以用于高于 65V 的电压? 尽管我们使用的是 24V 商用车系统、但我们必须承受符合 MIL 标准的浪涌和突发脉冲!

    此致

    Andreas  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andreas:

    遗憾的是、它无法承受高于 65V 的电压。

    在汽车区域模块中使用理想二极管的优先级电源多路复用器

    图 5:也可以通过 LM74930-Q1 实现。 共源极拓扑可以承受超过 65V 的电压、可能适合您。

    当我们从 CAP 引脚而不是 HGATE 驱动 FET 时、您看到的额外晶体管支路有助于实现更强的栅极驱动。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Shiven:

    您的意思是、我们可以将 Q5、D3 和 R5 与 LM74930 结合使用吗?

    我认为它可以起作用、但我不知道 C_CAP 在内部是如何连接的。 另外、C_CAP 列表引用了 VS。这是否会导致其他问题?

    此致、Harald

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Harald:

    可以、 Q5、D3 和 R5 可与 LM74930-Q1 结合使用

    VCAP 仍以 VS 为基准。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、我们会尝试一下。

    R5 是否有一个应考虑的最小值?我们是否应该增加 C_Cap?

    实际上、我们计划使用 1µF 和 2 个 IPT020N13NM6 MOSFET。

    此致、Harald

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Herald:

    最小 R5 可保持为 0 欧姆或最强的驱动。 但最好有一个用于调整栅极驱动的占位符。

    此致、

    Shiven Dhir