[参考译文] LM5146-Q1：是否符合我的要求？

您好、Tim：

感谢您的回复、我能知道开关频率为 250kHz、电感为 3.3uH 后所做的计算和推理吗？

谢谢、

Karthik。

您好、Tim：

我当时查看了 LM5145 的评估板设计、优化了功率级设计（链接）。 据我所知、它在不同的布局和放置样式中展示了不同的布局和开关电流所采用的热环路。 图 1 是需要使用的最不优方法、因为开关电流环路很大、因此 EMC 更高。 图 2 — 改进的横向开关环路设计优于图 1、因为现在的环路比前一个小得多。 那么、更大限度地减少热环路的最佳方法是图 3 中给出的布局样式、即垂直定向开关环路。  

在我的一个测试设计中、我有一个与图 2 类似的东西、不同之处在于电容器与图 2 所示的东西呈 180 度。 因此、我认为这是一种不良布局、因为电流的开关环路很大。

另外、假设我使用相同的 MOSFET、我应该具有的栅极电阻值是多少？

在材料列表中、我可以看到 Q1 和 Q2 具有不同的电流能力、因此我们为什么可以在高侧使用额定电流较低的 NMOS 和在底部使用额定电流较高的 NMOS？

谢谢您、

Karthik。

您好、Tim：  

1.您提到的引导电容器是我假设的 BST 引脚上的电容器。 包括一个串联到 IC 引脚的引导电容器电阻？ 喜欢这个吗?

TI 高密度评估模块-  

2.开关频率为 250kHz、电感为 3.3uH 后的计算和推理,我能知道吗?

 3.我想使用 RDSon 电流检测方法,是否有任何设计需要牢记的问题? 哪一个更准确、更值得推荐？

4. 如果我有一个良好的热管理系统,我的 MOSFET 可以处理更高的电流,那么我可以增大电流,因为 将由转换器供电的模块尚未最终确定,所以功率要求可能更高,高达 400W。 是否可以使用并联 MOSFET 或额定值更高的 MOSFET 并使用相同的控制 IC？ 如果是,什么可能是输出功率的限制,它是否纯粹取决于 MOSFET 的能力?

5.我还想知道 第 34 页中提到的简单 π 型滤波器是否会有作用、或者我们是否需要具有共模滤波、差模滤波功能的强大 EMC 滤波。

谢谢您、

Karthik。