尊敬的先生：

早上好。 祝你度过美好的一天！

此 UCC21710-Q1 器件栅极驱动器是否可能设置任何死区时间？

谢谢、

Sravan Kumar。

您好、

我在计算源极电流和栅极电阻器时有疑问。 我所遵循的方法：

使用的 MOSFET： FF2MR12KM1H 的 Qg = 1.2uC 且 Traise = 153ns（根据 MOSFET 数据表中给出的测试条件）。

Isource = Isource/Isource Qg = 1.2uC/153ns tr = 7.8A、因此我选择 10A 栅极驱动器、对于栅极电阻= VG/Isource = 18/7.8 = 2.3 Ω。

请确定天气是否正确、或建议如何计算拉电流、灌电流和栅极电阻器。

谢谢你。

尊敬的 Sasi：

我已经使用 UCC21750 设计了一个栅极驱动器。我在这里连接了设计。 请查看并告诉我是否可以或不可以、如果有任何建议、请告知我。

我对设计有以下疑问、请澄清：

1.我了解了 2 个去耦电容器 1、用于实现低电容的高频噪声抑制和良好的电压稳定性需要高电容。 使用单个电容器时、可能无法实现上述两个功能。 我知道关于小电容 100nF-1nF 和大电容>1uF 的经验法则。  我想知道如何计算这些去耦电容器？

2.是否需要保留输入和输出 RC 滤波器及原因? 如何详细计算工作频率为 20kHz 时滤波器的 RC 值？

如何计算上拉电阻？ 这里、我根据数据表中指定的值为 RDY、FLT、REST 引脚使用了上拉电阻器 5k Ω、滤波电容器为 100pF。 如何计算上拉电阻和滤波电容器 100pF？

4.关于 DESAT ,我知道可以用齐纳二极管设置 DESAT 阈值。 我不明白它是如何运作的。 请解释一下？

5.请说明如何计算 DESAT 电路组件 Cblnk、RLIM。

如果可能、我可以通过邮件联系以更好地理解概念。

感谢你能抽出时间。

Sravan Kumar

您好、

感谢您的答复。 我想知道如何使用合适的公式计算上拉/下拉电阻值、去耦电容和 RC 滤波器值。

2、以上所附设计对于硬件是可以的,如果不是请纠正错误。 是否可以对此设计进行仿真！

谢谢您、

Sravan Kumar。