[参考译文] TPS54340B-Q1：更多辐射发射

尊敬的 Meghna：

我查看了您的原理图和布局、以下是我的发现：

原理图：

• 元件选型整体看起来正常。 请确保您的电感额定值至少与器件的高侧开关电流限制一样高、以避免硬饱和 (5.5A)。
• 较薄的电感器将有助于提高辐射电磁干扰 (EMI) 性能
• VIN 上的阻尼电容器有助于确保输入滤波器的电感环不会导致输入端超出规格运行。
• 可以在 SW 上添加缓冲器、以帮助抑制辐射 EMI。 如需获取有关适当缓冲器电路设计的帮助、请参阅以下技术手册： https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZTBC7 

布局：

• 总体而言、建议每层都有一个覆盖所有可用空间的接地覆铜。 接地端有助于吸收一些高频噪声、并可以屏蔽一些来自降压转换器表征的高 di/dt 环路的更敏感布线/信号。
• 需要将输入电容器尽可能靠近 VIN 引脚放置。 VIN 电容器是从 VIN 到 FET 的高 di/dt 环路中会产生噪声的主要部分。 此路径上的电感增加都会导致 EMI 性能下降。
• 还建议将 BOOT 电容器尽可能靠近 BOOT 引脚放置。
• SW 节点上似乎有一个过孔。 请注意、不建议 SW 节点具有任何穿孔连接、因为这会将 SW 噪声有效地分散到整个系统中。 保持 SW 节点尽可能小并隔离对于确保良好的 EMI 性能至关重要。
• 总的来说、请查看数据表的第 10.2 节 、获取此 IC 的良好布局示例。

谢谢您、

Joshua Austria.

尊敬的 Meghna：

遗憾的是、我认为我们没有这款 IC 的辐射发射报告。  

感谢您的理解、

Joshua Austria.