[参考译文] BQ28Z620：睡眠模式下的 Iq 消耗

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Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, EV2400

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：BQ28Z620
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO、 EV2400

工具/软件：

你（们）好我有几个与睡眠模式相关的问题。

首先是消耗。数据表提到、IQ = 80uA 可实现：

但是、我在验证该值时遇到问题。

在我的情况下、每个 MOSFET 的栅极泄漏为 100nA（因此，总共为 200nA）。无通信、I2C 总线上没有上拉电阻器。

最初、我观察到了 400uA 水平下的平均睡眠消耗。研究了 TRM 后、我能够发现 PMPDRV 位默认关闭（顺便说一下，它在 bqstudio 中标记为 RSVD）：

PMPDRV=1 且 EV2400 断开连接时、功耗降至~18uA、明显优于数据表中指出的。 ~9uA 的平坦基础和 65mA 短脉冲（可能由于 MOSFET 栅极重新充电）。

因此,总之,不清楚为什么结果比声明的典型情况要好得多。这个值对于我的项目来说非常重要、因为我们由于业务需求而无法使用关机模式计时器、目前我对正在发生的事情缺乏深入的了解。

我的第二个问题与 bqstudio 有关。 TRM 提到、“电压时间“和“电流时间“参数最多可在 255 秒范围内。但 bqstudio 只允许您设置以下值：

此设置的黄金映像（目前尚未完全配置，仅为最低配置）：

谨致问候、Vasyl

0 admin 3 个月前

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您好：

请向我发送一条原理图注释、说明测量仪表 IQ 的位置和方式。

此外、报告的测量仪表 IQ 是至少 30 秒间隔内的平均 IQ。

此致、

Jonny。

0 admin 3 个月前

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嗨、Jonny。

我将在 DM 中分享原理图、等待您的申请批准。

关于测量的 30 秒间隔（如我的屏幕截图所示）、记录时间超过 40 秒、因此必须足以正确评估。

此致、Vasyl。

0 admin 3 个月前

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我可能会添加一个小但有趣的更新。

原始测量是使用固件版本 1.0.0 执行的。将该确切板更新为 1.0.1 后、电流显著增加；但是、它仍然小于数据表：

短脉冲保持~65mA、但平坦基极已从~Ω 9 μA 增加到~Ω 37 μA。

电源管理（参考译文帖）(Read Only)