[参考译文] LM1117：TO-252

尊敬的 McKyla：

感谢您抽出时间回答我的问题。 您的回答回答回答了我的问题。 如果你不介意的话,我还有一个问题。 对于我所查看的封装、NDP-to 252、结至外壳和结至电路板热阻分别为 52.1 和 29.8C/W、表明底部的热阻较低。 但是、结至顶部和结至电路板特征参数表明与 PSI-JT 和 PSI-JB 相反、其温度为 4.5 和 29.4C/W、而结至顶部的电阻较低。 我知道,获取这些变量的技术是不同的,但他们给两个相反的印象。 在本例中、我测量了外壳温度、我想估算电路板温度。 您会建议采取什么措施？

这是我想的正确方法:用 PD = 0.8*1.3=1.04V ((Vin-Vout )*Iout ), PSI-JT = 4.5C/W 和 TC= 96C, TJ 估计为 96+4.5*1.04=100.7C。 然后、PSY-JB=29.4C/W、TB=100.7-29.4*1.04=70.1C

感谢您的反馈。 谢谢

McKyla,

功率耗散来自元件数据表的第 6 页。 我得到了电压 1.3V 的差值、并将其乘以 0.80 的 Iout。 我假设 Vinx*IG 可以忽略不计。 唯一的测量值是外壳温度 96C。 我没有在设备周围测量环境温度、但可以高于 68°C。 我需要知道的是结温和电路板温度估算。 如果你是我,你会怎么做? 谢谢。  

Mojtaba.

嗨、Mojtaba、  

系统中的 Vin、Vout、Iout 是多少？ 这是器件的最大压降和最大 Iout、但通常我们不使用该值。 通常、我们使用器件上预计的最大值、而不是器件的最大值。  

谢谢您、  

McKyla

McKyla、我没有测量这些值。 使用最大值不会得到最保守的结果吗？ 谢谢。  

你好 Mojtaba,  

是的、但这一点并不现实、因为 LDO 上的 1.04W 相当多、通常情况下、预计功率耗散会低得多。 您是否有原理图、或者您预期的 Vin、Vout、Iout？  

谢谢、  

McKyla

早上好、McKyla、

好点子！ 遗憾的是、我只拥有外壳（顶部）和环境温度。 我只需要在现有测试中估算结温和电路板温度、并查看它是否在不同应用中工作。 请告诉我以下情况是否合理。  

TJ = Ta + Pd * RθJA  Eq1

TJ = TC = Pd *ψJT    Eq2

等效 Eq1 和 Eq2 并求解 Pd。 请注意、Ta 和 Tc 是已知的。  RθJA 和 Δ ψJT 来自数据表

现在、可从以下位置找到 TB：

Tb = Tj–Pd *ψJB Ω

您是否发现此过程有任何问题？ 谢谢

很棒的下午 Mojtaba  

我希望你有一个伟大的一天！

是、虽然您可以使用 Tj = TC +(Pd *ψJT) 来求解理论最大 Pd、但这对于 LDO 可处理的情况并不现实、因为这是在理想条件下的情况。 此外、电路板布局布线可将器件的热性能改变 30-50%、是除 (Vin-Vout)* Iout 外的最大热阻因素。 该器件非常稳健、因此可以处理 LDO 的大量功率耗散。 对于该器件、1.04W 的功率耗散应该可以与等于或优于 JEDEC 板的电路板搭配使用。  

希望这有助于进行估算、同时请记住、该器件建议的 Tj 为 125°C。  

谢谢您、  

McKyla

谢谢你、麦凯拉、  

我不担心器件处理负载、并且结温会始终远低于 125°C。 这只是板上安装的 NTC 芯片监控板温度、并在 83°C 时触发警告消息、在 88°C 时触发故障消息。 我的目的是在电路板处于不同应用中时获取电路板温度估算值。 大多数（如果不是所有）客户在不同的环境中使用您的产品、而不是这些热指标的制定。 这不应阻止客户使用这些指标来估计其自己设计中的参数。 在过去的一段时间里、我为大型电信公司设计了散热器。 我和同事一直使用制造商的热指标、因为他们知道应用环境可能与开发热指标时的理想环境不同。 为什么？ 因为 这些数据都是我们拥有的、如果没有这些数据、我们将在真空中工作。 干杯！

嗨、Mojtaba、  

是的、这里完全理解。 我们总是使用估计值、并了解在任何不同的情况下都可能存在一些差异。 Texas Instruments 始终使用 JEDEC 标准来仿真热指标。 祝您的设计好运！  

谢谢您、  

McKyla