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[参考译文] BQ78350：新 BQStudio 固件上的寄存器

admin
Guru**** 2439560 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ78350, BQSTUDIO

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1537018/bq78350-registers-on-new-bqstudio-firmware

器件型号：BQ78350
主题： BQSTUDIO 中讨论的其他器件

工具/软件：

您好、

我的客户一直使用 BQ78350 电量监测计将其更新为最新固件 (bq78350R3_00_build_31.srec)、并注意到 BQStudio 和 TRM 上的寄存器存在一些差异。 我找到了 R2 和 R3 附录、但没有提及：

  • 运行状态寄存器添加了 PSDG 位、HCFET 被移动一位。
  • 充电状态寄存器添加了一个 HV 位。

您是否能够向我们指出记录了这些更改和任何其他更改的文档？

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    TI__Guru**** 2439560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果预放电 FET 导通、则 PDSG（而不是 PSDG）位发出信号。 该版本的 bq78350 可以控制预放电 FET。 但是、最终规范中未包含该功能、PDSG 位应为 RSVD。

    HV 位显示电量监测计使用“CellVoltageHigh"进行“进行充电控制（与中电压，低电压或预充电）。

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    TI__Guru**** 2439560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dominik：

    感谢您提供的信息！ 为了澄清一下、没有其他突出显示这些差异的文档？

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    TI__Guru**** 2439560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    没有。